onsemi FDMS4D5N08LC 80-V-n-Einzelkanal-Leistungs-MOSFET
Der onsemi FDMS4D5N08LC 80-V-n-Einzelkanal-Leistungs-MOSFET wird mit einem fortschrittlichen PowerTrench®-Verfahren hergestellt, das die Shielded-Gate-Technologie umfasst. Dieses Verfahren wurde für die Reduzierung des Einschaltwiderstands optimiert und bietet mit einer erstklassigen Soft-Bodydiode trotzdem eine überragende Schaltleistung.
Der FDMS4D5N08LC MOSFET ist in einem PQFN-Gehäuse (Power Quad Flat No-Lead, PQFN) untergebracht und ist bleifrei, halogenfrei und RoHS-konform.
Merkmale
- Shielded-Gate-MOSFET-Technologie
- Max. RDS(on) = 4,2 mΩ bei VGS = 10 V, ID = 37 A
- Max. RDS(on) = 6,1 mΩ bei VGS = 4,5 V, ID = 29 A
- Drain-Source-Spannung (VDS): 80 V bei Dauerbetrieb TC = 25 °C
- Drainstrom (ID): 116 A
- Niedrige Sperrverzögerungsladung (Qrr): 38 nC (typisch)
- Verringert Schaltrauschen/EMI
- MSL1-robustes Gehäusedesign
- Logikpegel-Antrieb fähig
- 100 % UIL-getestet
- Betriebs- und Lager-Sperrschichttemperaturbereich: -55 °C bis +150 °C
- Gehäuseausführung: PQFN-8
- Gehäuseabmessungen: 5 mm x 6 mm
- Bleifrei, halidfrei und RoHS-konform
Applikationen
- Primäre DC/DC-MOSFETs
- Synchrongleichrichter in DC/DC und AC/DC
- Motorantriebe
- Solar
Interner Schaltplan
Gehäuseabmessungen
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Veröffentlichungsdatum: 2019-08-15
| Aktualisiert: 2024-02-21