onsemi NVBG160N120SC1 160-mΩ-SiC-MOSFET
Der 160-mΩ-SiC-MOSFET NVBG160N120SC1 von onsemi bietet im Vergleich zu Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit. Dieser MOSFET verfügt über eine Drain-Source-Spannung (VDSS) von 1.200 V und einen maximalen Drainstrom (ID) von 19,5 A. Der MOSFET NVBG160N120SC1 bietet einen niedrigen On-Widerstand und eine kompakte Chipgröße, die eine geringe Kapazität und Gate-Ladung gewährleistet. Diese MOSFET bietet einen hohen Wirkungsgrad, eine schnellere Betriebsfrequenz, eine höhere Leistungsdichte, eine geringere elektromoagnetische Störung (EMI) und eine reduzierte Systemgröße. Der NVBG160N120SC1 MOSFET von onsemi ist nach den AEC-Q101-Standards qualifiziert für Fahrzeuganwendungen wie z. B. Onboard-Ladegeräte für Fahrzeuge und DC/DC-Wandler für Elektrofahrzeuge (EVs) / Hybrid-Fahrzeuge (HEVs).
Merkmale
- Überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit im Vergleich zu Silizium
- Drain-Source-Widerstand (RDS(on)): 160 mΩ (typisch)
- Drain-Source-Widerstand (V(BR)DSS): 1.200 V
- Drainstrom (ID): 19,5 A (max.)
- Extrem niedrige Gate-Ladung (QG(tot)): 33,8 nC
- Niedrige effektive Ausgangskapazität (COSS): 50,7 pF (typisch)
- Für Fahrzeuganwendungen gemäß AEC-Q101 qualifiziert
- 100 % Avalanche-getestet
Applikationen
- Automobil-Applikationen
- Onboard-Ladegeräte
- DC/DC-Wandler für EVs/HEVs
- Umrichter
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Veröffentlichungsdatum: 2020-09-18
| Aktualisiert: 2024-08-23