onsemi NVBG020N120SC1 n-Kanal-Siliziumkarbid-MOSFETs

Die NVBG020N120SC1 n-Kanal-Siliziumkarbid-MOSFETs von onsemi verwenden eine Technologie, die eine hervorragende Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit bietet. Die NVBG020N120SC1 MOSFETs bieten einen hohen Wirkungsgrad, eine schnelle Betriebsfrequenz, eine erhöhte Leistungsdichte, eine reduzierte EMI und eine reduzierte Systemgröße. Der niedrige Einschaltwiderstand und die kompakte Chip-Größe des Bauteils sorgen für eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Die NVBG020N120SC1 n-Kanal-Siliziumkarbid-MOSFETs sind gemäß AEC-Q101 für den Automotive-Einsatz qualifiziert und eignen sich daher hervorragend für Fahrzeuganwendungen.