ON Semiconductor NCP1096 Hochleistungs-PoE-PD mit internem Hot-Swap-FET

Der ON Semiconductor NCP1096 Hochleistungs-PoE-PD-Controller ist ein PoE-PD-Schnittstellen-Controller (Power Over Ethernet Powered-Device, PoE-PD), der für Applikationen, wie z. B. vernetzte Beleuchtung und Sicherheitskameras ausgelegt ist. Der NCP1096 ist vollständig mit IEEE.3bt, IEEE 802.3af und IEEE 802.3at konform und umfasst alle Funktionen innerhalb eines PoE-Systems, wie z. B. Erkennung, Klassifizierung und Strombegrenzung während der Einschaltphase. Darüber hinaus verfügt dieses Bauteil über einen integrierten n-Kanal-MOSFET-Lastschalter, der den Leistungswirkungsgrad erhöht, wenn die Hilfsversorgung einen PD betreibt.

Der NCP1096 unterstützt Hochleistungsapplikationen (bis zu 90 W PoE) über einen externen Durchlasstransistor. Ein Power-Good-Pin sorgt für ein ordnungsgemäßes Aktivieren und Deaktivieren der benachbarten DC/DC-Hauptwandler. Die Klassifizierungsergebnis-Pins ermöglichen einen Betrieb gemäß der zugeordneten Leistungsklasse (bis zu Klasse 8).

Der NCP1096 von ON Semiconductor bietet außerdem eine Autoclass-Unterstützung und zeigt an, wenn eine kurze Beibehaltung der Leistungssignatur implementiert werden kann. Darüber hinaus ermöglicht ein Hilfsversorgungs-Erkennungspin den Einsatz dieses Bauteils in Applikationen, bei denen die Leistung entweder über das PoE oder über einen Wandadapter geliefert werden kann.

Der NCP1096 PoE-PD-Schnittstellen-Controller ist bleifrei und RoHS-konform und wird in einem 16-Pin-TSSOP-Gehäuse (Thin Shrink Small Outline Package, TSSOP) angeboten.

Merkmale

  • Vollständige Unterstützung von IEEE 802.3bt, IEEE 802.3af und IEEE 802.3at Spezifikationen
  • Garantierte Interoperabilität zwischen PoE-Bauteilen
  • Unterstützt eine physische Layer-Klassifizierung von bis zu 5 Ereignissen
  • Zugeordnete Leistungsstufe von bis zu 90 W
  • Verfügt über einen internen 71-mΩ-Durchlasstransistor zur Unterstützung von Hochleistungsapplikationen
  • Aktive Brücken- und Hot-Swap-FET-Deaktivierung, wenn die Hilfsversorgung verbunden wird, wodurch der Leistungswirkungsgrad erhöht wird
  • Unterstützt Autoclass
  • Typische Einschaltstrombegrenzung: 135 mA
  • Open-Drain-Power-Good-Anzeige
  • Unterstützung für kurze MPS
  • Durchlassschalter-Deaktivierungseingang für Hilfsstromversorgungsbetrieb auf der Rückseite
  • Proprietäre Applikationen von mehr als 100 W
  • Überstromschutz
  • Übertemperaturschutz
  • Sperrschicht-Temperaturbereich: -40 °C bis +125 °C
  • Gehäuseausführung: TSSOP-16
  • Bleifrei und RoHS-konform

Applikationen

  • Digitale Beschilderung
  • Satelliten-Datennetzwerke
  • Vernetzte Beleuchtung
  • Video- und VoIP-Telefone
  • Sicherheitskameras
  • Pico-Basisstationen
  • Multiband-Zugangspunkte
  • USB-Typ-C

Videos

{"PlayerType":"Video","BrightcoveId":"6070813243001"}

NCP1095 Block Diagram

Block Diagram - ON Semiconductor NCP1096 Hochleistungs-PoE-PD mit internem Hot-Swap-FET

Blockdiagramm

Block Diagram - ON Semiconductor NCP1096 Hochleistungs-PoE-PD mit internem Hot-Swap-FET

NCP1095 Application Circuit

ON Semiconductor NCP1096 Hochleistungs-PoE-PD mit internem Hot-Swap-FET

Typische Applikations-Schaltung

Application Circuit Diagram - ON Semiconductor NCP1096 Hochleistungs-PoE-PD mit internem Hot-Swap-FET