Nexperia Trench 9 Superjunction-MOSFETs

Nexperia Trench 9 Superjunction-MOSFETs kombinieren die Niederspannungs-Superjunction-Technologie mit fortschrittlicher Gehäusetechnologie und bieten damit eine hohe Leistungsfähigkeit und Robustheit. Alle Trench-9-MOSFETs sind AEC-Q101-qualifiziert und übertreffen die Anforderungen dieses internationalen Automotive-Standards in den wichtigsten Zuverlässigkeitstests, darunter zyklische Temperaturänderungen (TC), Hochtemperatur-Gate-Vorspannung (HTGB), Hochtemperatur-Umkehrspannung (HTRB) und intermittierende Lebensdauer (IOL) um das Zweifache.

Mit einem RDSon-Bereich von 1,4 mΩ bis 3,5 mΩ und einer Single-Shot- und Repetitive-Avalanche-Leistungsfähigkeit bieten diese Trench 9 40V-n-Kanal-MOSFETs eine verbesserte Leistungsdichte und einen höheren Wirkungsgrad. Die Nexperia Trench 9 Superjunction-MOSFETs sind in kompakten LFPAK56- und LFPAK56E-Gehäusen von 30 mm2 untergebracht. Aufgrund ihrer Gehäusetechnologie und ihrer Leistungsdichte können sie als Ersatz für DPAK- und D2PAK-MOSFETs mit reduziertem Footprint verwendet werden.

Merkmale

  • Gemäß AEC-Q101 vollständig für den Automotive-Bereich qualifiziert:
    • Geeignet für thermisch anspruchsvolle Umgebungen aufgrund von 175-°C-Einstufung
  • RDSon-Bereich der Baureihe: 1,4 mΩ bis 3,5 mΩ
  • Trench 9 Superjunction-Technologie:
    • Reduziertes Zell-Rastermaß ermöglicht verbesserte Leistungsdichte und Wirkungsgrad mit niedrigerem RDSon im selben Footprint
    • Verbesserte SOA (sicherer Wirkbereich) und Avalanche-Kapazität im Vergleich zu Standard TrenchMOS
    • Enge VGS(th)-Grenzwerte ermöglichen eine einfache Anpassung von MOSFETs
  • LFPAK-Gehäuse mit Knickflügel-Leitern:
    • Hohe Zuverlässigkeit auf Boardebene, absorbiert im Gegensatz zu QFN-Gehäusen mechanische Belastung während den thermischen Zyklen
    • Design mit visueller Automatischer Optischer Inspektion (AOI), keine Notwendigkeit für teure Röntgengeräte
    • Einfache Lötstellen-Benetzung für gute mechanische Lötverbindungen
  • LFPAK-Gehäuse mit Kupfer-Clip-Technologie:
    • Verbesserte Zuverlässigkeit, mit reduziertem Rth und RDSon
    • Erhöht die maximale Strombelastbarkeit und bietet eine verbesserte Stromstreuung
  • Gehäuseoptionen
    • LFPAK56E
    • LFPAK56

Applikationen

  • 12V-Automotive-Systeme
  • Servolenkung
  • Getriebesteuerung
  • ABS und ESC (Fahrdynamikregelung)
  • Wasser-, Öl- und Kraftstoffpumpen
  • Geschwindigkeitsregler für Lüfter
  • Lampensteuerung
  • Magnetsteuerung
  • Start-Stopp-Systeme (Micro-Hybrid)
  • Schaltapplikationen mit extrem hoher Leistungsfähigkeit
  • Batterie-Verpolungsschutz
  • DC/DC-Wandler

LFPAK56-Gehäuse Highlights

Nexperia Trench 9 Superjunction-MOSFETs

LFPAK56E-Gehäuse Highlights

Nexperia Trench 9 Superjunction-MOSFETs

Videos

Veröffentlichungsdatum: 2017-10-17 | Aktualisiert: 2022-11-28