Nexperia PBSS4310PAS-Q NPN-Transistor mit niedrigem VCEsat
Der Nexperia PBSS4310PAS-Q NPN-Transistor mit niedrigem VCEsat verfügt über eine sehr niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung, eine hohe Kollektorstrombelastbarkeit und einen hohen Wirkungsgrad aufgrund der geringeren Wärmeerzeugung. Der PBSS4310PAS-Q ist in einem extrem flachen (DFN2020D-3) unbedrahteten kleinen SOT1061D SMD-Kunststoffgehäuse (geeignet für die Oberflächenmontage) mit mittlerer Leistungsfähigkeit und seitenbenetzbaren Flanken (SWF) untergebracht. Das bleifreie kleine SMD-Kunststoffgehäuse mit lötbaren Seitenpads reduziert den Platzbedarf auf der Leiterplatte (PCB).
Merkmale
- Sehr niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VCEsat
- Hohe Kollektorstrombelastbarkeit IC und ICM
- Hohe Kollektorstromverstärkung (hFE) bei hohem IC
- Hoher Wirkungsgrad durch geringere Wärmeentwicklung
- Hochtemperatur-Applikationen bis zu 175 °C
- Reduzierte Leiterplattenfläche (PCB)
- Bleifreies kleines SMD-Kunststoffgehäuse mit lötbaren Seitenpads
- Freiliegender Kühlkörper für hervorragende thermische und elektrische Leitfähigkeit
- Geeignet für die automatische optische Inspektion (AOI) der Lötstelle
- Für den Einsatz in Fahrzeuganwendungen gemäß AEC-Q101 zugelassen
Applikationen
- Lineare Spannungsregelung
- Lastschalter
- Batteriebetriebene Geräte
- Leistungsmanagement
- Ladeschaltungen
- Leistungsschalter (z. B. Motoren, Lüfter)
Pinbelegung
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Veröffentlichungsdatum: 2022-05-12
| Aktualisiert: 2023-07-05