Nexperia BAS21Q Hochspannungs-Schaltdioden

Nexperia BAS21Q Hochspannungs-Schaltdioden sind in unverdrahteten DFN1110D-3- und DFN1412D-3-SMD-Kunststoffgehäusen mit seitenbenetzbaren Flanken eingekapselt. Diese Dioden arbeiten mit einer Schaltgeschwindigkeit von t_rr ≤ 50 ns, einer hohen Sperrspannung von V_R ≤ 200 V, einer niedrigen Gehäusehöhe von 0,5 mm und einer niedrigen Kapazität von C_d ≤5 pF. Die BAS21Q Dioden verfügen über einen niedrigen Ableitstrom und werden in Applikationen, wie z. B. Hochgeschwindigkeits-Schaltung, Universal-Schaltung, Spannungsklemme und Umpolungsschutz verwendet.