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Würth Elektronik WE-HCMD Hochstrominduktivitäten

Würth Elektronik WE-HCMD Hochstrom-Induktivitäten verfügen über einen hohen Sättigungsstrom und einen hohen Kopplungsfaktor für CPU-Motherboards, Leistungsprozessoren oder FPGAs. Diese Induktivitäten umfassen einen Induktivitätsbereich von 70 nH bis 200 nH, einen niedrigen RDC von 125µΩ und einen Sättigungsstrom von bis zu 190 A mit einem Kopplungsfaktor von bis zu 0,98. Die WE-HCMD Induktivitäten werden bei 125°C betrieben und sind in einem MnZn-Core-Material mit hoher Permeabilität verfügbar. Zu den typischen Applikationen gehören TLVR-Topologie, Internetschalter, Mehrphasen-Spannungsregler und Hochleistungs-ASIC-Bauteile.

Merkmale

  • Bis zu 190 A Sättigungsstrom
  • Niedriger Rdc von bis zu 125 ° Ω
  • Kopplungsfaktor von bis zu 0,98
  • 125 °C Betriebstemperatur
  • MnZn-Core, Material mit hoher Permeabilität

Applikationen

  • Trans-Induktivitäts-Spannungsregler-Topologie (TLVR)
  • Mehrphasen-Spannungsregler
  • CPU-Motherboards
  • Server
  • Feldprogrammierbare Gate-Arrays (FPGA)
  • Internetschalter
  • Hochleistungs-ASIC-Bauteile
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Teilnummer Datenblatt Induktivität Sättigungsstrom Länge Breite Höhe
7443000910070 7443000910070 Datenblatt 70 nH 166 A 9.3 mm 6.1 mm 10.2 mm
7443000910100 7443000910100 Datenblatt 100 nH 117 A 9.3 mm 6.1 mm 10.2 mm
7443000910120 7443000910120 Datenblatt 120 nH 98 A 9.3 mm 6.1 mm 10.2 mm
7443000910150 7443000910150 Datenblatt 150 nH 79 A 9.3 mm 6.1 mm 10.2 mm
7443001111070 7443001111070 Datenblatt 70 nH 190 A 11.7 mm 5.7 mm 11 mm
7443001111120 7443001111120 Datenblatt 120 nH 122 A 11.7 mm 5.7 mm 11 mm
7443001111150 7443001111150 Datenblatt 150 nH 99 A 11.7 mm 5.7 mm 11 mm
7443001111180 7443001111180 Datenblatt 180 nH 82 A 11.7 mm 5.7 mm 11 mm
7443001111200 7443001111200 Datenblatt 200 nH 76 A 11.7 mm 5.7 mm 11 mm
7443001111105 7443001111105 Datenblatt 105 nH 142 A 11.7 mm 5.7 mm 11 mm
Veröffentlichungsdatum: 2024-12-10 | Aktualisiert: 2024-12-20