Wolfspeed 1.700-V-Siliziumkarbid-MOSFETs
Wolfspeed 1.700-V-Siliziumkarbid-MOSFETs bieten eine höhere Schaltung, einen höheren Systemwirkungsgrad und eine höhere Leistungsdichte für die Leistungsumwandlung der nächsten Generation. Die Siliziumkarbid-Technologie von Wolfspeed ermöglicht kleinere Designs, kühlere Komponenten, reduzierte Bauteilgröße (Induktivitäten, Kondensatoren, Filter und Transformatoren) und Gesamtkostenvorteile. Die 1.700-V-SiC-MOSFETs von Wolfspeed versorgen mehrere 12-V- bis 48-V-Bauteile mit reduzierten Kühlbedingungen.
Merkmale
- Hochgeschwindigkeits-Schalten mit niedriger Kapazität
- Weite Kriech- und Luftstrecke zwischen Drain und Quelle
- 0 V Ausschaltspannung bei Verwendung in Flyback-Applikationen
- 12 V bis 15 V Gate-Drive-Spannung
Applikationen
- Hilfsstromversorgungen
- Schaltnetzteile
- Wechselrichter
- 1.500-V-basierte Systeme
- Hochspannungs-DC/DC-Wandler
- Motorantriebe
- Gepulste Leistungsapplikationen
Weitere Ressourcen
- LTspice- und PLECS-Modelle
- PRD-06752: PCB-Layout-Techniken für diskrete SiC-MOSFETs
- PRD-05652: Montageempfehlungen und thermische Messung für Wolfspeed ® SiC-Leistungselemente in Durchsteckgehäusen
- Designoptionen für Siliziumkarbid-MOSFET-Gate-Vorspannungs-Leistungsversorgungen von Wolfspeed
- Reduzierung von EMI mit SiC-Lösungen in erneuerbaren Energiewandlern und netzgekoppelten Leistungswandlern
Gehäuseausführungen
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| Teilnummer | Datenblatt | Beschreibung |
|---|---|---|
| E3M0900170D |  |
SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 900mohm, 1700V, TO-247-3, Automotive Gen3 |
| E3M0900170J-TR | |
SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 900mohm, 1700V, TO-263-7 T&R, Automotive Gen3 |
| C3M0900170J-TR | |
Wolfspeed SiC, MOSFET, 900mohm, 1700V, TO-263-7 T&R, Industrial |
| C3M0900170D | |
Wolfspeed SiC, MOSFET, 900mohm, 1700V, TO-247-3, Industrial |
| C3M0900170M | |
Wolfspeed SiC, MOSFET, 900mohm, 1700V, TO-247-3PF, Industrial |
Veröffentlichungsdatum: 2025-04-10
| Aktualisiert: 2025-04-28