Vishay Semiconductors Silizium-Fototransistoren und Fotodioden
Die Vishay Semiconductors VEMT2500X01-Serie besteht aus Silizium NPN Epital-Planar-Fototransistoren. VEMD2500X01 und VEMD2520X01 sind hochempfindliche Hochgeschwindigkeits-Kontakt-Fotodioden. Jeder dieser Vishay Semiconductors Silizium-Fototransistoren und Fotodioden werden in einem klaren epoxiden Mini-Gehäuse zur Aufbaumontage (SMD) mit gewölbter Linse geliefert, die empfindlich auf sichtbare und in der Nähe befindliche Infrarotstrahlung reagieren.
Merkmale
- AEC-Q101 qualified
- High radiant sensitivity
- Suitable for visible and near infrared radiation
- Fast response times
- Package matched with IR emitter series VSMB2000X01
- Lead (Pb)-free reflow soldering
- Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
Technische Daten
- 2.3mm x 2.3mm x 2.8mm (L x W x H) Dimensions
- Surface mount package
- ϕ = ±15° Angle of half sensitivity
- Floor life of 4 weeks, MSL 2a, acc. J-STD-020
- -40°C to +100°C Operating temperature
Applikationen
- Phototransistors
- Detector in automotive applications
- Photo interrupters
- Miniature switches
- Counters
- Encoders
- Position sensors
- Photodiodes
- High speed photo detector
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| Teilnummer | Datenblatt | Serie | Beschreibung |
|---|---|---|---|
| VEMT2500X01 |  |
VEMT | Fototransistoren Reverse gullwing 470-1090nm +/-15 deg |
| VEMD2520X01 | |
VEMD | Fotodioden Gullwing 350-1120nm +/-15 deg |
| VEMT2520X01 | |
VEMT | Fototransistoren Gullwing 470-1090nm +/-15 deg |
| VEMD2500X01 | |
VEMD | Fotodioden Reverse gullwing 350-1120nm +/-15 deg |
Veröffentlichungsdatum: 2011-05-25
| Aktualisiert: 2022-03-11