Vishay Semiconductors VSLB4940 Infrarot-Sendediode mit hoher Geschwindigkeit
Die Vishay Semiconductors VSLB4940 Infrarot-Sendediode mit hoher Geschwindigkeit eignet sich für den Betrieb mit hohem Impulsstrom. Die VSLB4940 Diode bietet eine Spitzenwellenlänge von 940 nm, eine Strahlungsintensität von 65 mW/sr, einen Abstrahlwinkel von ±22°, eine typische Durchlassspannung von 1,42 V und eine Abfallzeit von 15 ns. Diese Infrarotdiode ist mit der GaAIAs-Multi-Quantum-Well-Technologie (MQW) verfügbar und in einem Klarsicht-Kunststoffgehäuse eingegossen. Die VSLB4940 Infrarotdiode ist in einem bedrahteten T1-Gehäuse mit Abmessungen von ∅3 mm verfügbar. Diese Infrarotdiode ist hervorragend für Applikationen wie z. B. Infrarot-Fernbedieneinheiten, reflektierende Sensoren und Lichtschranken geeignet.Merkmale
- Bedrahtetes Gehäuse
- Hohe Geschwindigkeit
- Hohe Strahlungsleistung
- Geringe Durchlassspannung
- Geeignet für den Betrieb mit hohem Impulsstrom
- Gute spektrale Anpassung an Silizium-Fotodetektoren (Si)
Technische Daten
- 940 nm Spitzenwellenlänge (λP)
- 65 mW/sr Strahlungsintensität
- ±22° Halbwinkelempfindlichkeit (ψ)
- ∅3 mm Abmessungen
- 15 ns Anstiegs- und Abfallzeit
- 160 mW Verlustleistung
- 1,42 V Durchlassspannung
- 100 mA Durchlassstrom
- Sperrspannung von 5 V
- 100 °C Sperrschichttemperatur
- Betriebstemperaturbereich: -25 °C bis 85 °C
- -40 °C bis 100 °C Temperaturbereich bei Lagerung
- 260 °C Löt-Temperatur
VSLB4940 Gehäuseabmessungen
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Veröffentlichungsdatum: 2018-05-10
| Aktualisiert: 2023-03-11
