Vishay Semiconductors SiRA99DP 30-V-p-Kanal-MOSFET
Der SiRA99DP 30-V-p-Kanal-MOSFET von Vishay Semiconductors ist ein TrenchFET® Gen IV Leistungs-MOSFET. Der SiRA99DP MOSFET bietet einen niedrigen Einschaltwiderstand, der den Spannungsabfall und den Leitungsverlust reduziert.Dieser SiRA99DP MOSFET wird in einem Temperaturbereich von -55 °C bis +150 °C betrieben. Der Leistungs-MOSFET ist in einem PowerPak®-SO-8-Gehäuse mit Einzelkonfiguration erhältlich. Zu den typischen Applikationen gehören Lastschalter, Adapter- und Ladegerät-Schalter, Batterieschutz und Motorantriebssteuerung.
Merkmale
- TrenchFET® Gen IV p-Kanal-Leistungs-MOSFET
- Sehr niedriger RDS(ON) reduziert den Spannungsabfall und den Leitungsverlust
- Eliminiert die Notwendigkeit einer Ladungspumpe
- Vollständig Rg- und UIS-getestet (Unclamped Inductive Switching, UIS)
- PowerPAK®-SO-8-Gehäuse
- RoHS-konform und halogenfrei
Technische Daten
- Drain-Quellenspannung (VDS): -30 V
- Dauersenkenstrom (ID): -195 A
- Verlustleistung: 104 W
- Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis +150 °C
Applikationen
- Adapter- und Ladegerät-Schalter
- Batterie- und Schaltungsschutz
- O-Ring
- Lastschalter
- Motorantriebssteuerung
Infografik
Typische Ausgangseigenschaften
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Veröffentlichungsdatum: 2020-06-11
| Aktualisiert: 2025-01-09