Vishay / Siliconix SQS660CENW 60-V-Automotive-n-Kanal-MOSFET
Der Vishay/Siliconix SQS660CENW 60-V-Automotive-n-Kanal-MOSFET ist ein AEC-Q101-qualifizierter TrenchFET®-Leistungs-MOSFET. Der SQS660CENW ist bei 18 A ID und 60 V VDS spezifiziert. Das Einzelkonfigurationsbauteil wird in einem PowerPAK® 1212-8W-Gehäuse mit einem Sperrschicht- und Lagertemperaturbereich von -55 °C bis +175 °C angeboten.
Merkmale
- TrenchFET®-Leistungs-MOSFET
- AEC-Q101-qualifiziert
- 100 % Rg- und UIS-getestet
Gehäuseausführung
Veröffentlichungsdatum: 2021-04-12
| Aktualisiert: 2022-03-11