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Vishay / Siliconix SiA466EDJ n-Kanal 20V (D-S) MOSFET

Der Vishay SiA466EDJ ist ein 20V (D-S) n-Kanal-MOSFET, der unter Verwendung des SC-70-Gehäuses mit einem Footprint von 2,05mm x 2,05mm entwickelt wurde. Er verfügt über den typischen ESD-Schutz von 2.500V und ist Rg geprüft. Der SiA466EDJ wird typischerweise für Smartphones, mobile Computer, DC-DC-Wandler, Energiemanagement und Lastschalter verwendet.

Merkmale

  • TrenchFET® power MOSFET
  • Thermally enhanced PowerPAK® SC-70 package
    • Small footprint area
    • Low on-resistance
  • 2500V (HBM) typical ESD protection 
  • 100% Rg tested

Applikationen

  • Smartphones and mobile computing
  • DC/DC converters
  • Power management
  • Load switches

Associated MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET Gen IV MOSFETs

Branchenführend niedriger ON-Widerstand bis zu 1,35 mΩ bei 4,5 V.

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Veröffentlichungsdatum: 2015-03-02 | Aktualisiert: 2022-03-11