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Vishay Semiconductors VS-HOT200C080 200-A-80-V-Leistungs-MOSFET-Modul

Das 200-A-80-V-Leistungs-MOSFET-Modul VS-HOT200C080 von Vishay Semiconductor ist ein integriertes Bauteil, das Halbbrücken-MOSFETs mit klassenbestem RDS(ON) in einem kompakten FlatPAK HC0-Gehäuse mit Transferformung vereint. Dieses Bauteil hat eine Drain-Source-Spannung (VDSS) von 80 V und einen Dauer-Drain-Strom (ID) von 195 A bei +80 °C. Um die Effizienz zu steigern, senkt der niedrige Durchlasswiderstand der MOSFETs des Leistungsmoduls die Leitungsverluste im Vergleich zu Konkurrenzprodukten um 32 %. Das Bauteil reduziert den Platzbedarf auf dem Board im Vergleich zu herkömmlichen diskreten Lösungen um bis zu 15 %. Das VS-HOT200C080 von Vishay Semiconductor vereint 80-V-MOSFETs in einer Halbbrückenkonfiguration, einen Shunt-Widerstand zur Strommessung, Bypass-Kondensatoren für ein verbessertes Schaltverhalten sowie einen NTC-Widerstand zur Temperaturerfassung.

Merkmale

  • Isoliertes 30 mm x 22,8 mm FlatPAK HC0-Gehäuse im Transferformverfahren
  • Drain-Source-Spannung: 80 V
  • Durchlasswiderstand: 0,45 mΩ (typ.), Q1 (Chip-Ebene) [RDS(ON)]
  • Dauersenkenstrom: 195 A bei +80 °C
  • Halbbrücken-Wechselrichter
  • Strom- und Temperaturmessung
  • Elektrisch isoliertes, freiliegendes DBC-Substrat
  • C-Snubber für niedrige EMI
  • Qualifiziert gemäß den Richtlinien von AQG324
  • PPAP-fähig
  • Epoxidharzverbindung, UL 94V-0-zertifiziert

Applikationen

  • Elektrifizierung im Fahrzeugbereich (Riemenstartergeneratoren/Rekuperationssysteme für MHEVs)
  • Mikromobilität (48-V-Antriebsumrichter)

Technische Daten

  • Gepulster Drainstrom (IDM): 1050 A (TC = +25 °C, tp = 250 μs, Rechteckwellenform)
  • Gepulster Quellstrom (Körperdiode) (ISM): 1530 A (TC = +150 °C, tp = 1 ms, Rechteckwellenform)
  • Verlustleistung (PD): 194 W (TC = +25 °C)
  • Gate-Source-Spannung (VGS): ±20 V
  • Gate-Gesamtladung (Qg): 130 nC (typ.) (ID = 80 A, VDS = 48 V, VGS = 0 V/10 V)
  • Gate-Source-Ladung (Qgs): 39nC (typ.) (ID = 80 A, VDS = 48 V, VGS = 0 V/10 V)
  • Gate-zu-Drain-Ladung („Miller“) (Qgd): 24nC (typ.) (ID = 80 A, VDS = 48 V, VGS = 0 V/10 V)
  • Sperrschichttemperaturbereich (TJ): -55 – +175 °C
  • Lagertemperaturbereich (TStg): -40 – +150 °C
  • Betriebstemperaturbereich (Top): -40 – +150 °C

Weitere Ressourcen

Schaltungskonfiguration

Schaltplan - Vishay Semiconductors VS-HOT200C080 200-A-80-V-Leistungs-MOSFET-Modul

Abmessungen

Technische Zeichnung - Vishay Semiconductors VS-HOT200C080 200-A-80-V-Leistungs-MOSFET-Modul
Veröffentlichungsdatum: 2026-03-31 | Aktualisiert: 2026-04-02