Vishay 60-V- und 100-V-n-Kanal-MOSFET-PowerPAK (D-S)

60-V- und 100-V-n-Kanal-MOSFET-PowerPAK (D-S) von Vishay verfügen über die TrenchFET® Gen-IV-Technologie, einen niedrigen ON-Widerstand und einen extrem niedrigen thermischen Widerstand. Darüber hinaus zeichnen sich diese Bauteile durch eine sehr niedrige Gate-Ladung und Ausgangsladung aus, um den Leistungsverlust zu reduzieren und den Wirkungsgrad zu verbessern.   Das kompakte, 6,15 mm x 5,13 mm messende PowerPAK® SO-8-Gehäuse bietet eine platzsparende Alternative zu herkömmlichen TO-220- und TO-263-Lösungen.

Merkmale

  • TrenchFET® Gen-IV-Leistungs-MOSFETs
  • Sehr niedrige Gate-Ladung (Qg) und Ausgangsladung (Qoss) reduzieren den Leistungsverlust und verbessern den Wirkungsgrad
  • Flexible Leitungen sorgen für Widerstandsfähigkeit gegenüber mechanischer Belastung
  • 100 % Rg - und UIS-getestet
  • Qgd/Qgs -Verhältnis <1 für optimierte Schalteigenschaften
  • RoHS-konform und halogenfrei

Applikationen

  • Synchrongleichrichtung
  • DC/DC mit hoher Leistungsdichte
  • DC/AC-Umrichter
  • Mikro-Solarwechselrichter
  • Aufwärtswandler
  • LED-Hintergrundbeleuchtung

InfoGraph

Vishay 60-V- und 100-V-n-Kanal-MOSFET-PowerPAK (D-S)
Veröffentlichungsdatum: 2020-03-19 | Aktualisiert: 2024-12-17