Vishay Semiconductors MAACPAK PressFit SiC MOSFET-Leistungsmodule
Die MAACPAK PressFit SiC MOSFET-Leistungsmodule von Vishay Semiconductors sind 1200-V-Module, die ausgelegt sind, um den Wirkungsgrad und die Zuverlässigkeit für Applikationen im mittleren bis hohen Frequenzbereich in Fahrzeug-, Energie-, Industrie- und Telekommunikationssystemen zu verbessern. Die VS-MPY038P120 und VS-MPX075P120 von Vishay Semiconductors bieten vier bzw. sechs MOSFET im flachen MAACPAK PressFit-Gehäuse und kombinieren fortschrittliche Siliciumcarbid-Technologie (SiC) mit einer robusten Transferform-Bauweise. Die Leistungsmodule integrieren SiC-MOSFET mit einem NTC-Thermistor zur Temperaturmessung und schnelle intrinsische SiC-Dioden mit geringer Sperrverzögerung. Das Ergebnis sind reduzierte Schaltverluste und ein erhöhter Wirkungsgrad.
Die robuste Transferform-Technologie für höhere Zuverlässigkeit der VS-MPY038P120- und VS-MPX075P120-Bauteile ermöglicht längere Produktlebenszyklen als herkömmliche Lösungen auf dem Markt und verbessert gleichzeitig den thermischen Widerstand. Die niedrigen Profile der MAACPAK-Leistungsmodule für schnelleres und besseres Schalten tragen dazu bei, parasitäre Induktivität und EMI zu reduzieren und gleichzeitig Speicherplatz zu sparen. Die PressFit-Pins der Module sind in einer Matrix angeordnet, die branchenüblichen Layouts entspricht und einen einfachen Austausch konkurrierender Lösungen in bestehenden Designs ermöglicht, um das Betriebsverhalten zu verbessern.
Merkmale
- Integrierter Leistungs-MOSFET aus Siliciumcarbid
- Integrierte schnelle intrinsische Diode mit niedriger Sperrverzögerung (Qrr)
- Integrierte NTC-Thermistoren zur Temperaturmessung
- Hohe Sperrspannung von 1200 V bei niedrigem Einschaltwiderstand (bis hinunter zu 38 Ω)
- Hochgeschwindigkeits-Schalten mit niedriger Kapazität
- Maximale Sperrschichttemperatur von +175 °C
- PressFit Pin-Verriegelungstechnologie
- Optionen für Schaltkonfiguration
- Vollbrücken-Wechselrichter (VS-MPY038P120)
- Dreiphasen-Wechselrichter (VS-MPX075P120)
- Robuste Transferform-Bauweise
- MAACPAK PressFit-Gehäuse mit niedrigen Profil
- UL-Zulassung ausstehend
- Bleifrei, halogenfrei, RoHS-konform
Applikationen
- Ladegeräte für Elektrofahrzeuge
- Server- und Telekommunikations-Netzteile (PSU)
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
- Off-Board-Ladegeräte für Elektrofahrzeuge (EV) und Hybridfahrzeuge (HEV).
- Motorantriebe
- Schweißausrüstung
- Solarwechselrichter
- Schaltnetzteile (SMPS)
- DC/DC-Wandler
- HLK-Systeme
- Große Batteriespeichersysteme
Technische Daten
- MOSFET
- Drain-Source-Spannung von 1200 V (max.)
- Dauersenkenstrom bei 15 V Gate-Source-Spannung
- 35 A bis 43 A für VS-MPY038P120 (max.)
- 18 A bis 22 A für VS-MPX075P120 (max.)
- 100 A bis 180 A gepulster Drainstrombereich (max.)
- Leistungsverlust von 47,5 W bis 93 W (max.)
- Gate-Source-Spannung von -8 V/+19 V (max.), empfohlener Betriebsbereich von -4 V/+15 V
- Modul-
- Sperrschichttemperatur von -55 °C bis +175 °C (max.)
- Sperrschichtbetriebstemperatur von -40 °C bis +150 °C (max.)
- Betriebs-/Lagertemperatur von -40 °C bis +150 °C (max.)
- Isolationsspannung von 3500 VRMS (max.)
- Drain-Source-Durchschlagspannung von 1200 V (min.)
- Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstandsbereich von 33 mΩ bis 128 mΩ
- Gate-Schwellenspannungsbereich von 1,6 V bis 3,8 V
- Typischer Temperaturkoeffizient des Schwellenspannungsbereichs von -5,9 mV/°C bis -5,0 mV/°C
- Typische direkte Transkonduktanz von 12,4 S bis 27,3 S
- Drain-Source-Ableitstrom von 60 μA und 120 μA (max.)
- Gate-Source-Kriechverlust von ±250 nA (max.)
- Gate-Ladungsbereich von 56 nC bis 100 nC (typisch)
- Gate-Source-Ladungsbereich von 17 nC bis 33 nC (typisch)
- Gate-Drain-Ladungsbereich (Miller) von 18 nC bis 27 nC (typisch)
- Einschaltenergiebereich von 0,193 mJ bis 0,508 mJ (typisch)
- Abschaltenergiebereich von 0,074 mJ bis 0,152 mJ (typisch)
- Einschaltverzögerungszeit von 13 ns bis 15 ns
- Anstiegszeit von 12 ns bis 14 ns (typisch)
- Abschaltverzögerungszeit von 35 ns bis 44 ns (typisch)
- Abfallzeit von 10 ns bis 11 ns (typisch)
- Eingangskapazitätsbereich von 1489 pF bis 2979 pF (typisch)
- Ausgangskapazitätsbereich von 85 pF bis 91 pF (typisch)
- Umgekehrte Übertragungskapazität von 6,1 pF bis 8,9 pF (typisch)
- Source-Drain-Angaben und -Eigenschaften
- Impulsquellenstrom (Body-Diode) von 100 A bis 189 A (max.)
- Dioden-Durchlassspannung von 5,75 V bis 5,96 V (typisch)
- Sperrverzögerungszeit von 14,4 ns bis 15 ns (typisch)
- Sperrverzögerungsladung von 198 nC bis 346 nC (typisch)
- Sperrverzögerungsladung von 26 A bis 38,3 A (typisch)
- Interner NTC-Thermistor
- 10 kΩ Widerstand
- 3430 K ±3 % B Konstante
- Betriebstemperaturbereich bei Nullleistung von -40 °C bis +150 °C
- 3,5 mW/K Verlustfaktor
- ≈10 s thermische Zeitkonstante
- Thermischer Widerstand
- Sperrschicht-Senkenbereich von 0,9 °C/W bis 1,8 °C/W (typisch)
- Case-Senkenbereich von 0,1 °C/W (typisch)
- Mechanische
- Anzugsdrehmoment von 0,7 Nm bis 1,7 (M3)
- Gewicht von 16 g (typisch)
- MAACPAK-Gehäuse
Datenblätter
- VS-MPY038P120 MAACPAK PressFit-Leistungsmodul, Vollbrücken-Wechselrichter, Siliciumcarbid-MOSFET, 38 mΩ
- VS-MPX075P120 MAACPAK PressFit-Leistungsmodul, Dreiphasen-Wechselrichter, 1200 V Siliciumcarbid-MOSFET, 75 mΩ
Schaltungskonfiguration
Veröffentlichungsdatum: 2025-12-16
| Aktualisiert: 2025-12-23