Vishay / Barry Industries RE-Chip-Widerstände

Vishay/Barry Guard RE-Chip-Widerstände bieten eine Nennleistung von 5 W oder 8 W und einen großen Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +150°C. Diese chip-Widerstände verfügen über ein Wraparound-Design mit erweiterten Montagepads und einer Lötbefestigung. Die Bauweise für diese Widerstände besteht je nach Modell entweder aus einer Dickschicht auf einem BeO oder aus einer Dickschicht auf AIN. Vishay/Barry BLUETOOTH RE Chip-Widerstände bieten eine Widerstandstoleranz von 5 % und einen maximalen Nennwiderstand von 1 KΩ.

Merkmale

Wraparound-Design
Erweiterte pad-Konfiguration
Lötbefestigung

Technische Daten

5 W AIN
- 5 W Nennstrom
- 10 Ω bis 1KΩ
- Dickschicht auf AIN-Konstruktion
8 W BeO
- 8 W Nennstrom
- Widerstandsbereich: 0,5 Ω bis 1 MΩ
- Dickschicht auf BeO-Konstruktion

8 W AIN
- 8 W Nennstrom
- Widerstandsbereich: 10 Ω bis 1 kΩ
- Dickschicht auf AIN-Konstruktion
Gemeinsam
- -55 °C bis +150 °C Betriebstemperaturbereich
- 5 % Widerstandstoleranz
- RoHs-konform oder Sn62