Texas Instruments UCC27442-Q1 Hochgeschwindigkeits-Low-Side-Gate-Treiber
Der UCC27442-Q1 Zweikanal-Hochgeschwindigkeits-Low-Side-Gate-Treiber von Texas Instruments kann MOSFET- und GaN-Leistungsschalter effektiv ansteuern. Der UCC27442-Q1 verfügt über eine typische Spitzenantriebsstärke von 4 A, die die Anstiegs- und Abfallzeiten der Leistungsschalter reduziert, Schaltverluste senkt und den Wirkungsgrad erhöht. Die schnelle Laufzeitverzögerung des UCC27442-Q1 (typisch 18 ns) bietet einen besseren Wirkungsgrad der Leistungsstufe durch Verbesserung der Totzeitoptimierung, der Pulsbreitenauslastung, des Regelkreisverhaltens und Einschwingverhalten des Systems.
Der UCC27442-Q1 von Texas Instruments kann -5 V auf seinen INx-Eingängen verarbeiten, was die Robustheit in Systemen mit moderatem Ground Bouncing verbessert. Die Eingänge können an die meisten Reglerausgängen angeschlossen werden, um maximale Steuerungsflexibilität zu gewährleisten. Ein unabhängiges Freigabesignal ermöglicht die Steuerung der Leistungsstufe unabhängig von der Hauptsteuerlogik. Im Falle eines Systemfehlers kann der Gate-Treiber schnell abschalten, indem die das Freigabesignal auf niedrig gezogen wird. Viele Hochfrequenz-Schaltnetzteile zeigen Rauschen am Gate des Leistungsbauteils, das in den Ausgangspin des Gate-Treibers eingespeist werden kann und zu einer Fehlfunktion des Treibers führen kann. Die Fähigkeit des Bauteils, transiente Rückströme und Sperrspannungen zu verarbeiten, ermöglicht es, Rauschen am Gate des Leistungsbauteils oder Impulstransformators zu tolerieren und eine Fehlfunktion des Treibers zu vermeiden.
Merkmale
- Für Fahrzeuganwendungen zugelassen
- Mit den folgenden Ergebnissen AEC-Q100-qualifiziert:
- Bauteiltemperatur Klasse 1 (-40 °C bis +125 °C Umgebungstemperaturbereich)
- HBM-ESD-Bauteilklassifikation Stufe H2
- CDM-ESD-Bauteilklassifikation Stufe C6
- Typischer Quell- und Senkenstrom von 4 A Spitze für jeden Kanal
- INA- und INB-Eingangspins, die -5 V verarbeiten können
- Absolute maximale VDD -Spannung 20 V
- Großer VDD -Betriebsbereich von 4,5 V bis 18 V
- Zwei unabhängige Gate-Treiberkanäle
- Unabhängige Freigabefunktion für jeden Ausgang
- Schnelle Laufzeitverzögerungen (typisch 18 ns)
- Schnelle Anstiegs- und Abfallzeiten (typisch 11 ns und 7 ns)
- 1 ns typische Verzögerungsanpassung zwischen den beiden Kanälen
- SOIC-8 und VSSOP-8 PowerPAD™-Gehäuseoptionen
- Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich: -40 °C bis 125 °C
Applikationen
- Schaltnetzteile (SNT)
- Schaltungen zur Leistungsfaktorkorrektur (PFC)
- DC/DC-Wandler
- AC-Wechselrichter und VF-Antriebe
- Microinverter
- DC-Schnellladestationen
Funktionales Blockdiagramm
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