Texas Instruments UCC21739-Q1 Isolierter Einkanal-Gate-Treiber
Der Texas Instruments UCC21739-Q1 Einkanal-Gate-Treiber ist ein galvanisch getrennter Gate-Treiber, der für SiC-MOSFETs und IGBTs mit einer Betriebsspannung von bis zu 990 VDC ausgelegt ist. Das Bauteil verfügt über erweiterte Schutzfunktionen, eine erstklassige dynamische Leistungsfähigkeit und Robustheit. Der Texas Instruments UCC21739-Q1 bietet einen Quellen- und Senkenspitzenstrom von bis zu ±10 A. Die Eingangsseite ist von der Ausgangsseite mit einer kapazitiven SiO2 -Isolierungstechnologie isoliert und unterstützt eine Betriebsspannung von bis zu 700 kVRMS. Außerdem verfügt das Bauteil über eine Überspannungsimmunitäts-Grundisolierung von 6 kVPK mit einer Lebensdauer der Isolierbarriere von mehr als 40 Jahren und bietet eine geringe Teil-zu-Teil-Verzerrung und eine Gleichtakt-Rauschimmunität (CMTI) von >150 V/ns.Der UCC21739-Q1 bietet modernste Schutzfunktionen, wie z. B. eine schnelle Überstrom- und Kurzschluss-Erkennung und Unterstützung für die Messung des Nebenschlussstroms. Außerdem bietet das Bauteil eine Fehlermeldung, aktive Miller-Klemme sowie eine seitliche Ein-/Ausgangs-Stromversorgungs-UVLO zur Optimierung des Schaltverhaltens und der Robustheit von SiC und IGBT. Die isolierte Analog-zu-PWM-Sensor kann für eine einfachere Temperatur- oder Spannungsmessung verwendet werden. Diese Funktion erhöht die Vielseitigkeit der Treiber weiter und vereinfacht den Systemdesign-Aufwand sowie die Größe und die Kosten.
Merkmale
- Isolierter Einkanal-Gate-Treiber von 3 kVRMS
- Für Fahrzeuganwendungen AEC-Q100-qualifiziert
- SiC-MOSFETs und IGBTs von bis zu 990 Vpk
- Maximale Ausgangsantriebsspannung (VDD-VEE): 33 V
- Antriebsstärke von ±10 A und Split-Ausgang
- Mindestens 150 V/ns CMTI
- Schneller Überstromschutz mit 270 ns Reaktionszeit
- Externe aktive Miller-Klemme
- Interne 2-stufige Abschaltung bei Auftreten eines Fehlers
- Isolierter Analogsensor mit PWM-Ausgang
- Temperaturmessung mit NTC-, PTC- oder thermischer Diode
- Hochspannungs-DC-Link oder Phasenspannung
- Alarm-FLT an Überstrom und Reset von RST/EN
- Schnelles Aktivierungs-/Deaktivierungsverhalten auf RST/EN
- Unterdrückung von Rauschtransienten von < 40 ns und Impulsen an den Eingangspins
- UVLO mit Power-Good auf RDY von 12 V VDD
- Eingänge/Ausgänge mit Über-/Unterschreitung der Transienten-Spannungsimmunität bis zu 5 V
- Ausbreitungsverzögerung (max.) von 130 ns und Impuls-/Teileversatz von 30 ns (max.)
- SOIC-16-DW-Gehäuse mit einer Kriech- und Luftstrecke von >8 mm
- Sperrschicht-Betriebstemperatur: -40 °C bis 150 °C
Applikationen
- Traktionswechselrichter für EVs
- On-Board-Ladegerät und -Ladestapel
- DC/DC-Wandler für HEV/EVs
Funktionales Blockdiagramm
Veröffentlichungsdatum: 2020-05-22
| Aktualisiert: 2025-03-10
