Texas Instruments UCC21710 Isolierter Gate-Treiber
Der Texas Instruments UCC21710 isolierte Gate-Treiber ist ein galvanisch getrennter Einkanal-Gate-Treiber, der für den Antrieb von SiC-MOSFETs und IGBTs von bis zu 1.700 V ausgelegt ist. Das Bauteil verfügt über erweiterte integrierte Schutzfunktionen, eine erstklassige dynamische Leistungsfähigkeit und Robustheit. Der UCC21710 hat bis zu ±10 A Spitzenstrom in Quelle und Senke. Die Eingangsseite ist von der Ausgangsseite mit der kapazitiven Isolationstechnologie SiO2 isoliert, wobei eine Arbeitsspannung von bis zu 1,5 kVRMS mit einer Lebensdauer der Isolationsbarriere von mehr als 40 Jahren, 12,8 kVPK Überspannungsfestigkeit sowie eine geringe Teil-zu-Teil-Verzögerung und > 150 V/ns Gleichtaktstörfestigkeit (CMTI) unterstützt wird.
Der UCC21710 von Texas Instruments verfügt über modernste Schutzfunktionen wie schnelle Überstrom- und Kurzschlusserkennung, Unterstützung für Shunt-Strommessung, Fehlermeldung, aktive Miller-Klemme und eingangs- sowie ausgangsseitige UVLO zur Optimierung des Schaltverhaltens und der Robustheit von SiCs und IGBTs. Der isolierte Analog-PWM-Sensor kann für eine einfachere Temperatur- oder Spannungsmessung verwendet werden, was die Vielseitigkeit des Treibers weiter erhöht und den Aufwand für das Systemdesign, die Größe sowie die Kosten verringert.
Merkmale
- 5,7 kVRMS einkanaliger isolierter Gate-Treiber
- Steuert SiC-MOSFETs und IGBTs mit bis zu 2121 Vpk an
- 33 V maximale Ausgangsspannung (VDD-VEE)
- Antriebsstärke von ±10 A und Split-Ausgang
- Mindestens 150 V/ns CMTI
- Interne aktive Miller-Klemme von 4 A
- Sanftes Ausschalten unter Fehlerbedingungen von 400 mA
- Isolierter analoger Sensor mit PWM-Ausgang für
- Temperaturmessung mit NTC-, PTC- oder thermischer Diode
- Hochspannungs-DC-Link oder Phasenspannung
- Alarm-FLT an Überstrom und Reset von RST/EN
- Schnelles Aktivierungs-/Deaktivierungsverhalten auf RST/EN
- Unterdrückt < 40 ns Rauschtransienten und Impulse an Eingangspins
- 12 V VDD UVLO mit guter Leistung an RDY
- Eingänge/Ausgänge mit Über-/Unterschreitung der Transienten-Spannungsimmunität bis zu 5 V
- 130 ns (maximale) Ausbreitungsverzögerung und 30 ns (maximaler) Impuls/Teilversatz
- SOIC-16-DW-Gehäuse mit Kriechstrecke und Luftstrecke von > 8 mm
- Sperrschicht-Betriebstemperatur: -40 °C bis +150 °C
Applikationen
- Industrie-Motorantriebe
- Server-, Telekommunikations- und Industrie-Netzteile
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)
- Solarwechselrichter
- Wandler für erneuerbare Energiespeicher
Datasheets
Funktionales Blockdiagramm
Zugehöriges Development Tool
Texas Instruments UCC21710QDWEVM-025 Evaluierungsboard
Ein kompaktes, isoliertes Einkanal-Gate-Treiber-Board für SiC-MOSFET- und Si-IGBT-Leistungsmodule.
Veröffentlichungsdatum: 2021-01-12
| Aktualisiert: 2025-08-01