Texas Instruments DRV8705S-Q1EVM Gate-Treiber-Evaluierungsmodul
Das Texas Instruments DRV8705S-Q1EVM Gate-Treiber-Evaluierungsmodul (EVM) ist zur Evaluierung des DRV8705S-Q1 ausgelegt. Der DRV8705S-Q1 ist ein integrierter Automotive-qualifizierter DC-Bürstenmotortreiber. Der DRV8705S-Q1 ist ein hochintegrierter Halbbrücken-Gate-Treiber, der High-Side- und Low-Side-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs ansteuern kann. Das Bauteil erzeugt ordnungsgemäße Gate-Drive-Spannungen über eine integrierte Verdopplungs-Ladungspumpe für die High-Side-MOSFETs und einen Linearregler für die Low-Side-MOSFETs.
Das DRV8705S-Q1EVM von Texas Instruments verfügt über eine Halbbrücke, die aus vier n-Kanal-MOSFETs besteht, die Motoren bidirektional bis zu 15 ARMS, 20 A Spitzenstrom ansteuern. Das Evaluierungsmodul wird von einer einzelnen Stromversorgung für die analoge Leistung und von der USB-Leitung für die digitale Leistung betrieben, die für eine externe Versorgung angepasst werden kann. Eine negative Batterie-Verpolschutzschaltung von 18 V mit einem PI-Filter, der mit 20 ARMS eingestuft ist, wird zur Reinigung des Stromversorgungseingang und zum Schutz gegen falsche Batterieverbindungen bereitgestellt.
Merkmale
- Evaluierungsmodul für H-Brücken-Smart-Gate-Treiber für Fahrzeuganwendungen
- Temperaturklasse 1 (TA): -40 °C bis +125 °C
- Betriebsbereich: 4,9 V bis 37 V
- Verdoppler-Ladungspumpe für 100 % PWM
- Halbbrücken- und H-Brücken-Steuermodi
- SPI-Schnittstelle für eine einfache Konfiguration
- Smart-Gate-Drive-Architektur
- Einstellbare Anstiegsratensteuerung
- Spitzenquellstromausgang: 1,0 mA bis 62 mA
- Spitzensenkenstromausgang: 1,0 mA bis 62 mA
- Integriertes Totzeit-Handshaking
- MOSFET-Drain-zu-Quellen- und Gate-Wächter
- Strom-Shunt-Verstärker
- Low-Side-Erkennung
- Anpassbare Gain-Einstellungen (10, 20, 40, 80 V/V)
- Integrierte Rückkopplungswiderstände
- Integrierte Schutzfunktionen
- Dedizierter Treiberdeaktivierungs-Pin (DRVOFF)
- Versorgungs- und Regler-Unterspannungswächter
- MOSFET-VDS-Überstromwächter
- MOSFET-VGS-Gate-Fehlerüberwachungen
- Ladungspumpe für Umpolungs-MOSFET
- Thermische Warnung und Abschaltung des Bauteils
- Fehlerbedingungs-Interrupt-Pin (nfault)
Board-Layout
Veröffentlichungsdatum: 2021-05-04
| Aktualisiert: 2025-03-11