Texas Instruments DRV835x Smart-Dreiphasen-Treiber

Die Texas Instruments DRV835x Intelligente Dreiphasen-Treiber sind hochintegrierte Gate-Treiber für dreiphasige bürstenlose DC-Motorapplikationen (BLDC). Diese Applikationen umfassen eine feldorientierte Steuerung (FOC) sowie eine sinusförmige und trapezförmige Stromsteuerung von BLDC-Motoren. Die Bauteilvarianten bieten optional integrierte Strom-Shunt-Verstärker zur Unterstützung verschiedener Motorsteuerschemata und einen Abwärtsregler zur Versorgung des Gate-Treibers oder externen Controllers.

Der DRV835x nutzt die Smart-Gate-Drive-Architektur (SGD), um die Anzahl der externen Komponenten zu reduzieren, die typischerweise für die MOSFET-Anstiegsratensteuerung und Schutzschaltungen erforderlich sind. Die SGD-Architektur optimiert auch die Totzeit, um Durchschussbedingungen zu verhindern, bietet Flexibilität bei der Verringerung elektromagnetischer Interferenz (EMI) durch MOSFET-Anstiegsratensteuerung und schützt vor Gate-Kurzschlussbedingungen durch VGS-Monitore. Eine starke Gate-Pulldown-Schaltung hilft dabei, unerwünschte dV/dt parasitäre Gate-Einschaltvorgänge zu verhindern.

Merkmale

  • 9 V bis 100 V, Dreifacher Halbbrücken-Gatetreiber
    • Optionaler integrierter Abwärtsregler
    • Optionale Dreifach-Low-Side-Strom-Shunt-Verstärker
  • Intelligente Gate-Drive-Architektur
    • Einstellbare Anstiegsratensteuerung für EMI-Leistung
    • VGS-Hand-Shake und Mindest-Totzeiteinfügung zur Verhinderung einer Durchzündung
    • 50 mA bis 1 A Spitzenstromquelle
    • 100 mA bis 2 A Spitzensenkstrom
    • dV/dt-Mitigation durch starken Pulldown
  • Integrierte Gate-Treiber-Stromversorgungen
    • High-Side-Verdoppler-Ladepumpe für 100 % PWM-Tastverhältnissteuerung
    • Low-Side-Linearregler
  • Integrierter LM5008A Abwärtsregler
    • 6 V bis 95 V Betriebsspannungsbereich
    • 2,5 V bis 75 V, 350 mA Ausgangsleistung
  • Integrierte Dreifach-Strom-Shunt-Verstärker
    • Einstellbare Verstärkung (5, 10, 20, 40 V/V)
    • Bidirektionale oder unidirektionale Unterstützung
  • 6x, 3x, 1x und unabhängige Pulsweitenmodulations-Modi
    • Unterstützt einen sensorischen Betrieb von 120°
  • SPI- oder Hardware-Schnittstelle verfügbar
  • Ruhemodus mit niedrigem Energieverbrauch (20 µA bei VVM = 48 V)
  • Integrierte Schutzfunktionen
    • VM-Unterspannungssperre (UVLO)
    • Gate-Treiber-Versorgungsspannung (GDUV)
    • MOSFET-VDS-Überstromschutz (OCP)
    • MOSFET-Durchzündungsschutz
    • Gatetreiber-Fehlererkennung (GDF)
    • Thermische Warnung und Abschaltung (OTW/OTSD)
    • Fehlerbedingungs-Anzeige (nFAULT)

Applikationen

  • Bürstenlose (BLDC) 3-Phasen-DC-Motormodule
  • Lüfter, Gebläse und Pumpen
  • E-Bikes, E-Scooter und E-Mobilität
  • Strom- und Gartengeräte, Rasenmäher
  • Drohnen, Robotik und RC-Spielzeug
  • Fabrikautomatisierungs- und Textilmaschinen

Vereinfachter Schaltplan

Schaltplan - Texas Instruments DRV835x Smart-Dreiphasen-Treiber
Veröffentlichungsdatum: 2018-09-11 | Aktualisiert: 2023-07-21