Texas Instruments DRV8106S-Q1EVM Gate-Treiber-Evaluierungsmodul
Das Texas Instruments DRV8106S-Q1EVM Gate-Treiber-Evaluierungsmodul (EVM) ist zur Evaluierung des DRV8106S-Q1 integrierten, Automotive-qualifizierten gebürsteten DC-Motortreibers ausgelegt. Der DRV8106S-Q1 ist ein hochintegrierter Halbbrücken-Gate-Treiber, der High-Side- und Low-Side-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs ansteuern kann. Das Bauteil erzeugt ordnungsgemäße Gate-Drive-Spannungen über eine integrierte Verdopplungs-Ladungspumpe für die High-Side-MOSFETs und einen Linearregler für die Low-Side-MOSFETs. Das DRV8106S-Q1EVM von Texas Instruments verfügt über eine Halbbrücke, die aus zwei n-Kanal-MOSFETs besteht, die Motoren bidirektional bis zu 15 A RMS, 20 A Spitzenstrom ansteuern. Das Evaluierungsmodul wird von einer einzelnen Stromversorgung für die analoge Leistung und von der USB-Leitung für die digitale Leistung betrieben, die für eine externe Versorgung angepasst werden kann. Eine negative Batterie-Verpolschutzschaltung von 18 V mit einem PI-Filter der mit 20 A RMS eingestuft ist, wird zur Reinigung des Stromversorgungseingang und zum Schutz gegen falsche Batterieverbindungen bereitgestellt.Merkmale
- Evaluierungsmodul für das Smart-Gate-Treiber-Evaluierungsmodul für Fahrzeuganwendungen
- -40 °C bis +125 °C, Temperaturklasse TA Klasse 1
- 4,9 V bis 37 V Betriebsbereich
- Verdoppler-Ladungspumpe für 100 % PWM
- Halbbrücken-Betriebsart
- SPI-Schnittstelle für detaillierte Konfigurations- und Diagnosefunktionen
- Smart-Gate-Drive-Architektur
- Einstellbare Anstiegsratensteuerung
- Spitzenquellstromausgang: 0,5 mA bis 62 mA
- Spitzensenkenstromausgang: 0,5 mA bis 62 mA
- Integriertes Totzeit-Handshaking
- MOSFET-Drain-zu-Quellen- und Gate-Wächter
- Großer Gleichtakt-Strom-Shunt-Verstärker
- Inline-Erkennung
- Anpassbare Gain-Einstellungen (10 V/V, 20 V/V, 40 V/V, 80 V/V)
- Integrierte Rückkopplungswiderstände
- Anpassbares PWM-Austastungsschema
- Integrierte Schutzfunktionen
- Dedizierter Treiberdeaktivierungs-Pin (DRVOFF)
- Versorgungs- und Regler-Spannungswächter
- MOSFET-VDS-Überstromwächter
- MOSFET-VGS-Gate-Fehlerüberwachungen
- Ladungspumpe für MOSFET mit umgekehrter Polarität
- Offline-Diagnose von offener Last und Kurzschluss
- Thermische Warnung und Abschaltung des Bauteils
- Fehlerbedingungs-Interrupt-Pin (nFAULT)
Veröffentlichungsdatum: 2021-02-15
| Aktualisiert: 2024-10-29
