Texas Instruments CSD22206W NexFET™ p-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die CSD22206W NexFET™ p-Kanal-Leistungs-MOSFETs von Texas Instruments sind Bauteile mit –8 V, 4,7 mΩ und einer Größe von 1,5 mm×1,5 mm, die entwickelt wurden, um im kleinsten Gehäuse den niedrigsten On-Widerstand und die niedrigste Gatter-Ladung zu liefern. Das Bauelement bietet die kleinstmöglichen Außenabmessungen und ausgezeichnete thermische Eigenschaften. Der niedrige On-Widerstand in Verbindung mit dem geringen Footprint und dem niedrigen Profil machen das Bauteil ideal für batteriebetriebene, platzbeschränkte Applikationen.

Merkmale

  • Ultra-low resistance
  • Small footprint 1.5mm × 1.5mm
  • Lead-free
  • Gate ESD protection
  • RoHS Compliant
  • Halogen-free
  • Gate-source voltage clamp

Applikationen

  • Load switch
  • Battery management
  • Battery protection

Functional Diagram

Blockdiagramm - Texas Instruments CSD22206W NexFET™ p-Kanal-Leistungs-MOSFETs
Veröffentlichungsdatum: 2017-11-01 | Aktualisiert: 2022-07-11