Texas Instruments CSD95430 NexFET™ Synchroner Leistungsstufen-Abwärtswandler
Der Texas Instruments CSD95430 NexFET™ synchrone Leistungsstufen-Abwärtswandler hat ein hochoptimiertes Design für den Einsatz mit einem synchronen Hochleistungs-Abwärtswandler mit hoher Dichte. Dieses Bauelement integriert den Treiber-IC und Leistungs-MOSFETs, um die Leistungsstufenschaltfunktion zu vervollständigen. Diese Kombination erzeugt Hochstrom, eine hohe Leistung und eine Hochgeschwindigkeits-Schaltfunktion in einem kleinen kompakten Gehäuse von 5 mm × 6 mm. Darüber hinaus enthält die Leistungsstufe eine genaue Strom- und Temperaturmessfunktion, um das Systemdesign zu vereinfachen und die Genauigkeit zu verbessern. Darüber hinaus wurde der PCB-Footprint optimiert, um die Designzeit zu verringern und die Fertigstellung des Gesamtsystemdesigns zu vereinfachen. Diese Leistungsstufe umfasst eine aktive Stromausgleichsfunktion, wodurch mehrere Leistungsstufen von einem einzelnen PWM-Eingang parallelgeschaltet werden können. Diese Funktion ermöglicht die Phasenmultiplikation für Applikationen mit sehr hohem Strom, ohne dass ein ähnlich hoher Phasenzahl-Controller erforderlich ist. Der aktive Stromausgleich des CSD95430 von Texas Instruments stellt sicher, dass die multiplizierten Phasen den Strom gleichmäßig verteilen, so dass bei parallelgeschalteten Phasen kein signifikantes Derating der Strombelastbarkeit erforderlich ist.Merkmale
- Aktiver Stromausgleich zwischen parallelgeschalteten Phasen, die einen einzigen PWM-Eingang teilen
- 90 A Spitzen-Dauerstrom
- Systemwirkungsgrad: >95 % bei 30 A
- 1,25 MHz Hochfrequenzbetrieb
- Dioden-Emulationsfunktion, um einen effizienten diskontinuierlichen Leitungsmodusbetrieb (DCM) zu ermöglichen
- Temperaturkompensierte bidirektionale Strommessung
- Analoger Temperaturausgang
- Fehlerüberwachung
- PWM-Signal-kompatibel mit 3,3 V und 5 V
- Tri-State-PWM-Eingang
- Integrierter Bootstrap-Schalter
- Optimierte Totzeit für Durchzündungsschutz
- Branchenüblicher QFN-Footprint mit hoher Dichte von 5 mm x 6 mm
- Gehäuse mit sehr niedriger Induktivität
- System-optimierter PCB-Footprint
- Thermisch verbesserte Oberseitenkühlung
- RoHS-konform - Bleifreie Anschlussbeschichtung
- Halogenfrei
Applikationen
- Synchrone Mehrphasen-Abwärtswandler
- Größer als 500 A
- Hochfrequenz
- Speicher- und Grafikkarten
- Rechenzentrum und Netzwerk-Switches
- Campus- und Zweigstellen-Schalter
- Core- und Edge-Router
- Hardware-Beschleunigerkarten
- Hochleistungs-CPU/-ASIC/-FPGA
Vereinfachte Applikation
Veröffentlichungsdatum: 2023-03-06
| Aktualisiert: 2023-04-13
