TDK TFM-ALM Dünnschicht-Leistungsinduktivitäten
Die TFM-ALM Dünnschicht-Leistungsinduktivitäten von TDK verfügen über einen Metallkern mit einer Magnetflussdichte mit hoher Sättigung, der hervorragende DC-Vorspannungseigenschaften in Leistungsschaltungen bietet. Die Induktivitäten sind magnetisch abgeschirmt, sodass Kriechverlust minimiert wird. Das Gehäusegröße beträgt 2,0 mm x 1,6 mm x 1,0 mm und verfügt über einen Induktivitätsbereich von 0,47 μh bis 2,2 μH sowie einen Nennstrombereich von 2,4 A bis max. 5,1 A.Merkmale
- Dünnfilm-Leistungsinduktivitäten mit Metallkern
- Ausgezeichnetes DC-Vorspannungsverhalten
- Keine Polarität
- Magnetisch abgeschirmt
- RoHS-konform
Applikationen
- Smartphones
- Tablet-Terminals
- HDDs, SSDs, DVCs, DSCs
- Mobile Display-Panels
- Tragbare Spielgeräte
- Kompakte Netzteilmodule
Veröffentlichungsdatum: 2017-11-28
| Aktualisiert: 2022-03-10
