EPCOS / TDK Slim-Line Transientenspannungs-Suppressordioden

TDK Slim-Line Überspannungsschutzdioden (TVS) bieten einen bidirektionalen Schutz gegen elektrostatische Entladungen (ESD) für eine I/O-Leitung. Diese Bauteile verfügen über eine niedrige Klemmspannung, einen geringen Ableitstrom, sowie eine sehr schnelle Anschwingzeit. Die extrem niedrige Kapazität ermöglicht eine ausgezeichnete Signalqualität für anspruchsvolle Hochgeschwindigkeits-Schnittstellen, wie z. B. USB 3,1, HDMI, Displayport und Thunderbolt. Die Slim-Line TSV Diodes von TDK sind in Universal- und extrem niedrigen Klemmvarianten mit -SMD-Gehäusen und einem großen Umgebungstemperaturbereich von -40 °C bis +125 °C verfügbar. Diese TVS-Dioden eignen sich hervorragend für smartphones, echte drahtlose Ohrhörer, Smart-Watches und viele andere Wearables mit engen Platzanforderungen.

Merkmale

B74121G0050M060 (universal)
- WL-CSP0201 Gehäuse
- Abmessungen: 0,6 mmm x 0,3 mmm x 0,15 mmm
- +5 V Maximale Sperrbetriebsspannung (V_RWM)
- 6 V bis 8 V Durchschlagspannung (V_BR)
- Sperrstrom (I_LEAK): 2 nA (typisch)
- 7,2 V Klemmspannung bei I_TLP = 8 A (V_C1)
- 8,0 V Klemmspannung bei I_TLP = 16 A (V_C2)
- 45 A Maximaler TLP-Strom (I_TLP)
- 15 kV Maximale ESD bei 10 Impulsen (V_ESD)
- 0,10 Ω Dynamischer Widerstand
- 12 pF Sperrschichtkapazität bei 1 MHz (C_J)
- 8 A Spitzenleistungsstrom (I_PP)
B74121G1160M160 (universal)
- WL-CSP0201 Gehäuse
- Abmessungen: 0,58 mm x 0,28 mm x 0,15 mm
- Hoher ESD-Schutz gemäß IEC 61000-4-2 bis zu 15 kV
- 16 V Maximale Sperrbetriebsspannung (V_RWM)
- 17,5 V bis 21 V Durchschlagspannung (V_BR)
- Sehr niedriger Ableitstrom: 1 nA typischer Sperrstrom (I_LEAK)
- 22,8 V Klemmspannung bei I_TLP = 8 A (V_C1)
- 25,4 V Klemmspannung bei I_TLP = 16 A (V_C2)
- 0,30 Ω Dynamischer Widerstand
- Niedrige Kapazität von 5,5 pF (typisch) bei 1 MHz, 16 V
B74111G0050M060 (universal)
- WL-CSP01005 Gehäuse
- Abmessungen: 0,4 mmm x 0,2 mmm x 0,10 mmm
- +5 V Maximale Sperrbetriebsspannung (V_RWM)
- 6 V bis 8 V Durchschlagspannung (V_BR)
- Sperrstrom (I_LEAK): 2 nA (typisch)
- 7,6 V Klemmspannung bei I_TLP = 8 A (V_C1)
- 8,9 V Klemmspannung bei I_TLP = 16 A (V_C2)
- 25 A Maximaler TLP-Strom (I_TLP)
- 15 kV Maximale ESD bei 10 Impulsen (V_ESD)
- 0,17 Ω Dynamischer Widerstand
- 12 pF Sperrschichtkapazität bei 1 MHz (C_J)
- 4 A Spitzenleistungsstrom (I_PP)

B74111U0033M060 (extrem niedrige Klemmspannung)
- WL-CSP01005 Gehäuse
- Abmessungen: 0,4 mmm x 0,2 mmm x 0,10 mmm
- +3,3 V Maximale Sperrbetriebsspannung (V_RWM)
- 6,3 V Typische Durchschlagspannung (V_BR)
- 1nA Typischer Sperrstrom (I_LEAK)
- 3,8 V Klemmspannung bei I_TLP = 8 A (V_C1)
- 5,0 V Klemmspannung bei I_TLP = 16 A (V_C2)
- 15 kV Maximale ESD bei 10 Impulsen (V_ESD)
- 0,15 Ω Dynamischer Widerstand
- 0,48 pF Sperrschichtkapazität bei 1 MHz (C_J)
- 7 A Spitzenleistungsstrom (I_PP)
B74121U0033M060 (extrem niedrige Klemmspannung)
- WL-CSP0201-Gehäuse
- Abmessungen: 0,6 mmm x 0,3 mmm x 0,15 mmm
- +3,3 V Maximale Sperrbetriebsspannung (V_RWM)
- 6,3 V Typische Durchschlagspannung (V_BR)
- 1nA Typischer Sperrstrom (I_LEAK)
- 3,8 V Klemmspannung bei I_TLP = 8 A (V_C1)
- 5,2 V Klemmspannung bei I_TLP = 16 A (V_C2)
- 15 kV Maximale ESD bei 10 Impulsen (V_ESD)
- 0,10 Ω Dynamischer Widerstand
- 0,65 pF Sperrschichtkapazität bei 1 MHz (CJ)
- 7 A Spitzenleistungsstrom (I_PP)
B74121G0160M060 (universal)
- Bis zu 16 V Betriebsspannung
- ESD-Schutz gemäß IEC 61000-4-2, VESD,max=10kV
- V_{clamp, typisch} = 24 V bei ITLP = 8 A Niedrige Klemmspannung
- I_{leak, typisch} = 1nA bei 16 V Sehr niedriger Ableitstrom
- C_typisch = 5 pF bei 1 MHz niedrige Kapazität
B74121U0055M060/B74111U0055M060
- Bis zu 5,5 V maximale DC-Spannung
- USB 2.0 Datenbus USB-C™ (D+/D-)
- 3,8 V und 4 V mit einem ITLP von 8 A niedrigen Klemmspannungen
- ESD-Entladungsspannung von bis zu 15 kV
- 0,48 pF Maximaler Kapazitätwert
- WLCSP 01005 und WLCSP 0201 kompakte Gehäuse
- 100µm oder 150µm Extrem flache Höhen