TDK-Lambda i1R ORing-MOSFET-Module

TDK-Lambda i1R ORing-MOSFET-Module sind hocheffiziente und verlustarme Bauteile, die als Ersatz für herkömmliche Dioden konzipiert sind. Diese MOSFET-Module nutzen fortschrittliche MOSFET-basierte Schaltungen, um Transienten und Leitungsverluste zu minimieren und einen Wirkungsgrad von bis zu 99,5 % zu erreichen. Die i1R ORing-MOSFET-Module gehen kritische Herausforderungen im Bereich Wärmemanagement und Leistungsdichte, insbesondere in Hochstromsystemen, an. Diese MOSFET-Module bieten einen kompakten, abgeschirmten Formfaktor, der einen Ausgangsstrom von bis zu 80 A mit minimaler Leistungsreduzierung unterstützt und somit eine zuverlässige Leistung in platzbeschränkten Umgebungen ermöglicht. Die i1R MOSFET-Module zeichnen sich durch einen großen Eingangsspannungsbereich, ein schnelles Abschalten bei Fehlerbedingungen und ein branchenübliches Gehäuse aus. Typische Applikationen umfassen Robotik, Rundfunk, batteriebetriebene Geräte, Industrie und Kommunikation.

Merkmale

  • Integriertes MOSFET-basiertes ORing-Modul: vereinfacht das Design, keine externen Komponenten oder Vorspannung erforderlich
  • 500 ns (typisch) schnelle Abschaltreaktion: Unterdrückt Rückstromtransienten bei Fehlern für einen besseren Schutz
  • Niedriger On-Widerstand und hoher Wirkungsgrad reduziert Leistungsverlust und Wärmeentwicklung und vereinfacht das thermische Design
  • Kompaktes, geschirmtes Metallgehäuse von 1 Zoll x 1 Zoll (25,4 mm x 25,4 mm): Spart Board-Fläche und unterstützt eine effiziente Kühlung
  • Großer Eingangsspannungsbereich: Funktioniert in verschiedenen Stromversorgungssystemen
  • Unterstützt einen Ausgang von bis zu 80 A: Zuverlässig bei Hochstrom und platzbegrenzten Designs

Applikationen

  • Robotik
  • Radio und TV
  • Prüfung und Messung
  • Industrie und IKT
  • KOMM
  • Batteriebetriebene Geräte

Technische Daten

  • Eingangsspannungsbereich:
    • 5 VDC bis 60 VDC (i1R60060A)
    • 3,3 VDC bis 30 VDC (i1R30080A)
  • Maximaler Ausgangsstrom:
    • 60 A (i1R60060A)
    • 80 A (i1R30080A)
  • Sicherheitszertifizierungen und -kennzeichnungen: CE-Kennzeichnung und UKCA-Kennzeichnung
  • Betriebstemperaturbereich (Tc): -40 °C bis +120 °C
  • -55 °C bis 125 °C Lagertemperaturbereich
  • Kühlung durch Konvektion, Wärmeleitung (Grundplatte) oder forcierte Belüftung
  • Typisches Gewicht: 20 g

Typische Applikations-Schaltung

Applikations-Schaltungsdiagramm - TDK-Lambda i1R ORing-MOSFET-Module

Leistungsdiagramme

Leistungsdiagramm - TDK-Lambda i1R ORing-MOSFET-Module

Blockdiagramm

Blockdiagramm - TDK-Lambda i1R ORing-MOSFET-Module

Abmessungen

Technische Zeichnung - TDK-Lambda i1R ORing-MOSFET-Module
Veröffentlichungsdatum: 2026-02-02 | Aktualisiert: 2026-02-05