STMicroelectronics STGAP3S 6A/10A-Einzel-Gate-Treiber

STMicroelectronics STGAP3S 6A/10A Einzelne Gate-Treiber sind geschützte Bauteile, die eine galvanische Isolierung zwischen dem GATE Treiberkanal und dem Niederspannungs-Steuerkanal und derSchnittstellen-Schaltung bereitstellen. Die STMicroelectronics STGAP3S Gate-Treiber umfassen verschiedene Optionen mit 10 A und 6 A Stromfähigkeit, jeweils mit dedizierten Unterspannungssperrvarianten (UVLO) für SiC MOSFETs und IGBTs. Ein ultraschneller Entsättigungsschutz ist auch mit differenzierten Interventionsschwellenwerten und einstellbarer sanfter Abschaltung verfügbar. Die Verfügbarkeit der Miller-Klemme und die optionale negative Fahrweise ermöglichen ein optimales Betriebsverhalten.

Merkmale

  • Hochspannungsschiene bis zu 1.200 V
  • 6A/10A Senken-/Quellentreiber-Strombelastbarkeit bei +25 °C
  • ±200 V/ns Gleichtaktsicherheit (CMTI)
  • 75 ns Ein-/Ausgangs-Laufzeitverzögerung
  • Miller Klemme Treiber für externen n-Kanal-MOSFET 0,3 A Quelle/0,5 A Senke
  • Einstellbare sanfte Abschaltfunktion
  • VDD UVLO
  • IGBT- und SiC-Varianten
    • VH UVLO 
    • Entsättigungsschutz
  • Bis zu 32 V Gate-Treiberspannung
  • Bis zu -10 V negative Gate-Ansteuerspannung
  • 3,3 V, 5V-TTL/CMOS-Eingänge mit Hysterese
  • Übertemperaturschutz
  • Erhöhte galvanische Isolierung
    • Isolationsspannung VISO = 5.7kVRMS (UL 1577)
    • Überspannung VIOTM = 8kVPEAK (IEC 60747-17)
    • Maximale wiederholte Isolationsspannung VIORM = 1.2kVPEAK (IEC 60747-17)
  • -40 °C bis +125 °C Betriebstemperaturbereich
  • Breites SO-16W-Gehäuse

Applikationen

  • Motortreiber für Haushaltsgeräte, Fabrikautomatisierung, Industrieantriebe und Lüfter
  • 600-V-/1.200-V-Wechselrichter
  • Akkuladegeräte
  • Induktionserwärmung
  • Schweißen
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)
  • Netzgeräte
  • DC/DC-Wandler
  • Blindleistungskompensation

Blockdiagramm

Blockdiagramm - STMicroelectronics STGAP3S 6A/10A-Einzel-Gate-Treiber

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Teilnummer Datenblatt Beschreibung
STGAP3S6STR STGAP3S6STR Datenblatt Galvanisch isolierte Gate-Treiber Galvanically isolated gate driver SiC 6A Source/Sink desat protect SOFTOFF
STGAP3SXSTR STGAP3SXSTR Datenblatt Galvanisch isolierte Gate-Treiber Galvanically isolated gate driver SiC 10A Source/Sink desat protect SOFTOFF
STGAP3S6ITR STGAP3S6ITR Datenblatt Galvanisch isolierte Gate-Treiber Galvanically isolated gate driver IGBTs 6A Source/Sink desat protect SOFTOFF
STGAP3SXITR STGAP3SXITR Datenblatt Galvanisch isolierte Gate-Treiber Galvanically isolated gate driver IGBTs 10A Source/Sink desat protect SOFTOFF
STGAP3S3IFTR STGAP3S3IFTR Datenblatt Galvanisch isolierte Gate-Treiber SO 16 .30 LARGE JEDEC MS-013
STGAP3S3STR STGAP3S3STR Datenblatt Galvanisch isolierte Gate-Treiber SO 16 .30 LARGE JEDEC MS-013
STGAP3SXS STGAP3SXS Datenblatt Galvanisch isolierte Gate-Treiber Galvanically isolated gate driver SiC 10A Source/Sink desat protect SOFTOFF
STGAP3S6I STGAP3S6I Datenblatt Galvanisch isolierte Gate-Treiber Galvanically isolated gate driver IGBTs 6A Source/Sink desat protect SOFTOFF
STGAP3S6S STGAP3S6S Datenblatt Galvanisch isolierte Gate-Treiber Galvanically isolated gate driver SiC 6A Source/Sink desat protect SOFTOFF
STGAP3SXI STGAP3SXI Datenblatt Galvanisch isolierte Gate-Treiber Galvanically isolated gate driver IGBTs 10A Source/Sink desat protect SOFTOFF
Veröffentlichungsdatum: 2024-12-16 | Aktualisiert: 2026-02-25