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STMicroelectronics SGT070R70HTO E-Mode-PowerGaN-Transistor

Der STMicroelectronics SGT070R70HTO E-Mode PowerGaN Transistor ist ein Hochleistungs-Anreicherungstransistor, der für Applikationen mit anspruchsvoller Leistungsumwandlung ausgelegt ist. Basierend auf der GaN-Technologie (Galliumnitrid) bietet der STMicro SGT070R70HTO eine überragende Schaltleistung mit einem niedrigen Einschaltwiderstand von 70Ω und minimaler Gate-Ladung für einen hohen Wirkungsgrad und reduzierte Verluste bei Hochfrequenzbetrieb. Mit einer Drain-Source-Nennspannung von 700 V ist der Transistor ideal für Applikationen wie Stromversorgungen, Motorantriebe und Systeme für erneuerbare Energien. Das Bauteil zeichnet sich durch eine robuste thermische Leistung aus und ist in einem kompakten MAUT-Gehäuse untergebracht, was es für Designs geeignet macht, bei denen Platz und Wärmemanagement entscheidend sind. Das schnelle Schaltvermögen und die niedrige Eingangskapazität tragen zu einer verbesserten Systemeffizienz und Leistungsdichte bei und positionieren den SGT070R70HTO als gute Wahl für die Leistungselektronik der nächsten Generation.

Merkmale

  • Enhancement Mode, Normal-off-Transistor
  • Sehr hohe Schaltgeschwindigkeit
  • Hohe Leistungsmanagement-Fähigkeit
  • Extrem niedrige Kapazitäten
  • Kelvin-Quellen-Pad für optimalen Gate-Antrieb
  • Keine Sperrverzögerungsladung
  • ESD-Schutz
  • RoHS-konform

Applikationen

  • AC-DC-Wandler
  • DC/DC-Wandler
  • Solar-Wechselrichter

Technische Daten

  • MAUT-Gehäuse
  • 700 V maximale Drain-Source-Spannung
  • 800 V maximale Drain-Source-Transientenspannung
  • -6 V bis 7 V maximaler Gate-Source-Spannungsbereich
  • 26 A maximaler Dauersenkenstrom
  • 60 A maximaler Impuls-Drainstrom
  • 231 W maximale Gesamtverlustleistung
  • 2,4 V typische Source-Drain-Sperrspannung
  • Typische Schaltzeiten
    • 10 ns Einschaltverzögerungszeit
    • 9 ns Anstiegszeit
    • 7 ns Ausschaltverzögerungszeit
    • 9 ns Abfallzeit
  • Statisch
    • 65 μA maximaler Drain-Source-Ableitstrom
    • 110 μA typischer Gate-Source-Ableitstrom
    • 1,2 V bis 2,5 V Gate-Schwellenspannungsbereich
    • 122 mΩ typischer statischer Drain-Source-On-Widerstand bei +150 °C
  • Dynamik-
    • 300 pF typische Eingangskapazität
    • 135 pF typische Ausgangskapazität
    • 2,3 pF typische Rückübertragungskapazität
    • 190 pF typische äquivalente Ausgangskapazität, energiebezogen
    • 240 pF typische äquivalente Ausgangskapazität, zeitbezogen
    • 1,4 Ω typischer intrinsischer Gate-Widerstand
    • 2,3 V typische Gate-Plateau-Spannung
    • 8,5 nC typische Gate-Gesamtladung
    • 0,7 nC typische Gate-Source-Ladung
    • 3,6 nC typische Gate-Drain-Ladung
    • 0 nC typische Sperrverzögerungsladung
    • 94,7 nC typische Ausgangsladung
  • 2 kV maximaler HBM ESD-Bewertung
  • Thermischer Widerstand
    • 0,54 °C/W Sperrschicht-zu-Gehäuse
    • 56,47 °C/W Sperrschicht-zu-Umgebung
  • -55 °C bis +150 °C Sperrschicht-Betriebstemperatur Bereich

Schaltschema

Schaltplan - STMicroelectronics SGT070R70HTO E-Mode-PowerGaN-Transistor

Testschaltungen

Technische Zeichnung - STMicroelectronics SGT070R70HTO E-Mode-PowerGaN-Transistor

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Veröffentlichungsdatum: 2025-10-15 | Aktualisiert: 2025-11-06