STMicroelectronics L638xE und L639x Gate-Treiber
Die L638xE und L639x Gate-Treiber von STMicroelectronics sind Einzelchip-Halbbrücken-Gate-Treiber für n-Kanal-Leistungs-MOSFETs oder IGBTs. Die L638xE und L639x sind Hochspannungsbauteile, die mit der BCD™-„Offline“-Technologie hergestellt werden. Diese Hochspannungs-Gate-Treiber sind so ausgelegt, dass sie eine Spannungsschiene von bis zu 600 V im High-Side-Bereich (schwebend) aushalten. Die L638xE und L639x Gate-Treiber-Logikeingänge sind CMOS- oder TTL-kompatibel, um die Verbindung mit Steuerbauelementen zu erleichtern. Diese L638xE Gate-Treiber sind in DIP-8-, SO-8-, DIP-14- und SO-14-Gehäusen erhältlich. Die L639x Gate-Treiber sind in SO-8-, SO-14- und SO-16-Röhrenverpackungsoptionen erhältlich.Merkmale
- L638xE:
- High voltage rail up to 600V
- dV/dt immunity ±50V/nsec in full temperature range
- Driver current capability:
- 400mA source
- 650mA sink
- Switching times 50/30nsec (L6385E and L6387E) rise/fall with 1nF load
- Switching times 70/40nsec (L6389E and L6388E) rise/fall with 1nF load
- CMOS/TTL Schmitt trigger inputs with hysteresis and pull-down
- Undervoltage lockout on lower and upper driving section
- Internal bootstrap diode
- Outputs in phase with inputs
- L639x:
- High voltage rail up to 600V
- dV/dt immunity ± 50V/ns in full temperature range
- Driver current capability:
- 290mA source
- 430mA sink
- Switching times 75/35ns rise/fall with 1nF load
- 3.3V, 5V TTL/CMOS inputs with hysteresis
- Integrated bootstrap diode
- Compact and simplified layout
- Bill of material reduction
- Effective fault protection
- Flexible, easy, and fast design
Applikationen
- Home appliances
- Induction heating
- Motor drivers
- DC, AC, PMDC, and PMAC motors
- Lighting applications
- Industrial applications and drives
- HVAC
- Factory automation
- Power supply systems
Veröffentlichungsdatum: 2017-12-04
| Aktualisiert: 2022-06-27
