STMicroelectronics L638xE und L639x Gate-Treiber

Die L638xE und L639x Gate-Treiber von STMicroelectronics sind Einzelchip-Halbbrücken-Gate-Treiber für n-Kanal-Leistungs-MOSFETs oder IGBTs. Die L638xE und L639x sind Hochspannungsbauteile, die mit der BCD™-„Offline“-Technologie hergestellt werden. Diese Hochspannungs-Gate-Treiber sind so ausgelegt, dass sie eine Spannungsschiene von bis zu 600 V im High-Side-Bereich (schwebend) aushalten. Die L638xE und L639x Gate-Treiber-Logikeingänge sind CMOS- oder TTL-kompatibel, um die Verbindung mit Steuerbauelementen zu erleichtern. Diese L638xE Gate-Treiber sind in DIP-8-, SO-8-, DIP-14- und SO-14-Gehäusen erhältlich. Die L639x Gate-Treiber sind in SO-8-, SO-14- und SO-16-Röhrenverpackungsoptionen erhältlich.

Merkmale

  • L638xE:
    • High voltage rail up to 600V
    • dV/dt immunity ±50V/nsec in full temperature range
    • Driver current capability:
      • 400mA source
      • 650mA sink
    • Switching times 50/30nsec (L6385E and L6387E) rise/fall with 1nF load
    • Switching times 70/40nsec (L6389E and L6388E) rise/fall with 1nF load
    • CMOS/TTL Schmitt trigger inputs with hysteresis and pull-down
    • Undervoltage lockout on lower and upper driving section
    • Internal bootstrap diode
    • Outputs in phase with inputs
  • L639x:
    • High voltage rail up to 600V
    • dV/dt immunity ± 50V/ns in full temperature range
    • Driver current capability:
      • 290mA source
      • 430mA sink
    • Switching times 75/35ns rise/fall with 1nF load
    • 3.3V, 5V TTL/CMOS inputs with hysteresis
    • Integrated bootstrap diode
    • Compact and simplified layout
    • Bill of material reduction
    • Effective fault protection
    • Flexible, easy, and fast design

Applikationen

  • Home appliances
  • Induction heating
  • Motor drivers
    • DC, AC, PMDC, and PMAC motors
  • Lighting applications
  • Industrial applications and drives
  • HVAC
  • Factory automation
  • Power supply systems
Veröffentlichungsdatum: 2017-12-04 | Aktualisiert: 2022-06-27