STMicroelectronics EVLSTDRIVEG610Q Evaluierungsboard
Das STMicroelectronics EVLSTDRIVEG610Q Evaluierungsboard basiert auf dem STDRIVEG610 Hochgeschwindigkeits-Halbbrücken-Gate-Treiber, der für die Ansteuerung von GaN-HEMTs im Anreicherungsmodus und mit hoher Spannung optimiert ist. Der STDRIVEG610 bietet getrennte Hochstrom- Ableitvorrichtungs-/Quellen-Gate-Ansteuerungs-Pins, integrierte LDOs, eine Bootstrap-Diode Unterspannung, High-Side-Schnellstart, Übertemperatur, Fault- und Shutdown-Pins und Standby zur Unterstützung von hartschaltenden Topologien in einem QFN-Gehäuse von 4 mm x 5 mm.
Das Board EVLSTDRIVEG610Q von STMicroelectronics ist benutzerfreundlich und kann zur Evaluierung der Funktionen des Bauteils STDRIVEG610 angepasst werden, das die E-Mode-GaN-Schalter SGT120R65AL von 75 mΩ (typisch) und 650 V im QFN-Gehäuse von 5 mm x 6 mm ansteuert. Das Bauelement verfügt über einen integrierten programmierbaren Totzeitgenerator und einen linearen 3,3-V-Spannungsregler zur Versorgung einer externen Logikschaltung, wie z. B. einenMikrocontroller. Darüber hinaus sind zusätzliche Anschlussflächen integriert, um die Karte an die endgültige Applikation anzupassen, beispielsweise separate LIN- und HIN-Eingangssignale oder ein einzelnes PWM- Signal.
Das Bauteil EVLSTDRIVEG610Q ist eine zweischichtige 1,5-Unzen-FR-4-PCB mit den Abmessungen 56 mm x 70 mm, was insgesamt 24 °C/W Rth(J‑A) von 24 °C/W (entspricht 48 °C/W für jedes GaN) bei Windstille entspricht, das für die Evaluierung von Applikationen ausgelegt ist.
Merkmale
- Die Halbbrücken-Topologie mit dem STDRIVEG610 GaN-Gate-Treiber mit integrierten LDOs, getrennter Ableitvorrichtung/Quelle, integrierter Bootstrap-Diode und Standby
- ausgestattet mit einem E-Mode-HEMT-GaN von75 mΩ (typisch) und 650 V.
- Versorgungsspannung von 9 V bis 18 V (12 V typ.) VCC
- Integrierter einstellbarer Totzeitgenerator zur Umwandlung eines einzelnen PWM-Signals in unabhängige High-Side- und Low-Side-Eingänge mit Totzeit
- Einstellbare Hard-On- und Hard-Off-dV/dt
- Separate Eingänge mit externer Totzeit können ebenfalls verwendet werden
- Externe Bootstrap-Diode zum Erreichen einer minimalen High-Side-Einschaltzeit
- Footprint für einen optionalen zusätzlichen Hochspannungs-Massenkondensator
- On-Board-Regler von 3,3 V für die externe Schaltung
- RoHS-konform
Applikationen
- DC/DC- und ResonanzWandler (LLC, Active Clamp Flyback Totem Pole)
- PFC- und Synchrongleichrichter-Topologien
- Ladegerät und Adapter
- AC/DC-Wandler
Versorgungs- & Signalanschluss
Platzierungen der Bauteile – Ansicht von oben
Bauteile – Ansicht von unten
Verknüpfte Bauelemente
STMicroelectronics STDRIVEG610n Halbbrücken Gate-Treiber
Entwickelt für die Ansteuerung von N-Kanal-MOSFETs oder IGBTs in einer Vielzahl von Leistungsumwandlungs-Applikationen.
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