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STMicroelectronics EVALSTDRV600HB8 Development Board

Das EVALSTDRV600HB8 Development Board von STMicroelectronics ist für L638xE und L639x Hochspannungs-Gate-Treiber ausgelegt. Die L638xE und L639x Treiber sind Einzelchip-Halbbrücken-Gatetreiber für n-Kanal-Leistungs-MOSFETs oder IGBTs. Diese L638xE und L639x Treiber sind Hochspannungsbauteile, die mit der BCD™-„Offline“-Technologie hergestellt werden. Das EVALSTDRV600HB8 Board besteht aus zwei Proben (L638xE und L639x) im SO8-Gehäuse und ermöglicht die Auswertung von Eigenschaften und Funktionen von Gate-Treibern mit einem Spannungswert von bis zu 600 V. Diese SO8-Gehäuse unterstützen auch mehrere High-Side- und Low-Side-Hochspannungs-Treiber. Das Development Board wird zudem mit passiven Bauelementen wie Filter, Bootstrap-Kondensator und einer integrierten Bootstrap-Diode geliefert, die eine kompaktere und kostengünstigere Lösung ermöglichen.

The EVALSTDRV600HB8 board consists of two samples (L638xE and L639x) in the SO8 package allows evaluating gate driver features and functionalities with voltage rating up to 600V. This SO8 package also supports several high voltages, high-side, and low-side driver devices. The development board also comes with passive components such as filtering, bootstrap capacitor, and integrated bootstrap diode designed to allow more compact and cost-effective.

Merkmale

  • Half-bridge configuration
  • 600V high voltage rail
  • Includes samples of each compatible gate driver in SO8 package
    • L6385E, L6387E, L6388E, L6389E, L6395, L6398, and L6399
  • Compatible with MOSFETs or IGBTs in ±50V/ns dv/dt transient immunity in full temperature range
  • Integrated bootstrap diode
  • Dedicated high-side and low-side driving inputs
  • Compact and simplified layout
  • Gate drivers in the kit feature different functionalities and characteristics:
    • UVLO on both high-side and low-side
    • Internal deadtime or no deadtime
    • Interlocking for anti cross-conduction protection
    • Ability to drive asymmetrical half-bridges and switched reluctance motors
    • Active high or active low Local Interconnect Network (LIN) for single input gate driving

Associated Product

STMicroelectronics L638xE und L639x Gate-Treiber

Entwickelt, um eine Spannungsschiene bis 600 V in High-Side-Abschnitt-MOSFET- (Floating) oder IGBT-Bauelementen auszuhalten.

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Veröffentlichungsdatum: 2017-11-24 | Aktualisiert: 2022-06-23