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STMicroelectronics STP80N1K1K6 N-Kanal Leistungs-MOSFET

STMicroelectronics STP80N1K1K6 N-Kanal Leistungs-MOSFET verwendet MDmesh K6-Technologie und basiert auf 20 Jahren Erfahrung im Bereich der Superjunction-Technologie. Der STMicroelectronics STP80N1K1K6 MOSFET bietet einen erstklassigen Einschaltwiderstand auf der Fläche und Gate-Ladung. Das Bauelement ist ideal für leistungsstarke Dichte und effiziente Applikationen.

Merkmale

  • Weltweit beste RDS(on) x Fläche
  • Weltweit beste FOM (Gütezahl)
  • Ultrageringe Gate-Ladung
  • 100 % Avalanche-getestet
  • Zener-geschützt

Applikationen

  • Sperrwandler
  • Adapter für Tablets, Notebooks und AIO
  • LED-Beleuchtung

Applikations-Schaltung Diagramm

Applikations-Schaltungsdiagramm - STMicroelectronics STP80N1K1K6 N-Kanal Leistungs-MOSFET

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Veröffentlichungsdatum: 2024-06-11 | Aktualisiert: 2024-06-25