STMicroelectronics STO67N60x MDmesh-Leistungs-MOSFETs
STMicroelectronics STO67N60x MDmesh Leistungs-MOSFETs sind Zener-geschützte und 100 % Avalanche-getestete N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die sich für Schaltungen eignen. Diese Leistungs-MOSFETs verfügen über eine ausgezeichnete Schaltleistung, einen niedrigen Gate-Eingangswiderstand und einen niedrigeren RDS(on) pro Fläche im Vergleich zur vorherigen Generation. Der STO67N60DM6 Leistungs-MOSFET ist eine schnelle Freilaufdiode und kombiniert eine sehr niedrige Freilaufladung (Qrr) und eine Erholungszeit (trr) mit dem effektivsten Schaltverhalten. Der STO67N60M6 Leistungs-MOSFET eignet sich hervorragend für den Einsatz in LLC-Wandlern und Aufwärts-PFC-Wandlern.
Merkmale
- Reduzierte Schaltverluste (STO67N60M6)
- Schnelle Freilaufdiode (STO67N60DM6)
- Niedriger gate-Eingangswiderstand (STO67N60M6)
- Niedrige Gate-Ladung, Eingangskapazität und Widerstand (STO67N60DM6)
- 100 % Avalanche-getestet
- Zener-geschützt
- Extrem hohe dv/dt-Robustheit (STO67N60DM6)
- Gehäuse mit hoher Kriechstrecke (STO67N60M6)
- Hervorragende Schaltleistung
Applikationen
- Schaltapplikationen
- LLC-Wandler (STO67N60M6)
- PFC-Aufwärtswandler (STO67N60M6)
Übersicht
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STMicroelectronics Standardprodukte
Eine große Auswahl von Drop-in-Ersatzteilen für Universal-Analog-ICs, diskrete und serielle EEPROMs.
Veröffentlichungsdatum: 2020-08-11
| Aktualisiert: 2025-01-14