STMicroelectronics STL105N8F7AG Automotive-Leistungs-MOSFET
Der STMicroelectronics STL105N8F7AG Automotive-n-Kanal-Leistungs-MOSFET nutzt die STripFET-F7-Technologie mit einem verbesserten Trench-Gate-Aufbau. Der STL105N8F7AG AEC-Q101-qualifizierte MOSFET verfügt über einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand und reduziert gleichzeitig die interne Kapazität und die Gate-Ladung für ein schnelleres und effizienteres Schalten.
Der STL105N8F7AG Automotive-n-Kanal-Leistungs-MOSFET von STM ist in einem PowerFLAT-5x6-Gehäuse mit benetzbarer Flanke untergebracht und eignet sich hervorragend für Schaltapplikationen.
Merkmale
- AEC-Q101-qualifiziert
- Einer der niedrigsten RDS(on) auf dem Markt
- Ausgezeichneter FoM (Gütezahl)
- Niedriges Crss/Ciss-Verhältnis für EMI-Immunität
- Hohe Stoßentladungs-Robustheit
- PowerFLAT-5x6-Gehäuse mit benetzbarer Flanke
Typische Schaltungsapplikation
Veröffentlichungsdatum: 2021-04-29
| Aktualisiert: 2022-03-11