STMicroelectronics STL059N4S8AG Leistungs-MOSFET

Der STL059N4S8AG Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics  ist ein 40-V-N-Kanal-Anreicherungstyp-Leistungs-MOSFET, der in Smart StripFET F8 Technologie entwickelt wurde. Die Smart StripFET F8 Technologie bietet einen niedrigen On-Widerstand für die Hochstromverteilung bei Kombination mit STi²Fuse Gate-Treibern. Dieser Leistungs-MOSFET ist AEC-Q101-qualifiziert und zu 100 % Avalanche-getestet. Der STL059N4S8AG Leistungs-MOSFET ist in einem PowerFLAT 5x6-Gehäuse mit benetzbaren Flanken erhältlich. Dieser Leistungs-MOSFET verfügt über die Feuchteempfindlichkeitsstufe 1 (MSL1) und arbeitet im Temperaturbereich von -55 °C bis 175 °C. Der STL059N4S8AG Leistungs-MOSFET eignet sich ideal für den Einsatz in Leistungsverteilungs-Applikationen.