STMicroelectronics STH13N120K5-2AG n-Kanal-Leistungs-MOSFET

Der STMicroelectronics STH13N120K5-2AG n-Kanal-Leistungs-MOSFET verfügt über die MDmesh K5-Technologie, die auf einer innovativen proprietären vertikalen Struktur basiert. Dies führt zu einer drastischen Reduzierung des Einschaltwiderstands und eine ultra-niedrige Gate-Ladung für Applikationen, die eine hervorragende Leistungsdichte und einen hohen Wirkungsgrad erfordern. Das Bauteil ist AEC-Q101-qualifiziert und Zener-geschützt.