STMicroelectronics STGAP2SICS Einzel-Gate-Treiber
STMicroelectronics STGAP2SICS Einzel-Gate-Treiber bieten eine galvanische Trennung zwischen dem Gate-Treiberkanal und der Niederspannungssteuerung sowie der Schnittstellenschaltung. Die Gate-Treiber zeichnen sich durch eine Leistung von 4 A und Rail-to-Rail-Ausgänge aus, wodurch sich die Bauteile auch für Applikationen mit mittlerer und hoher Leistung, wie z. B. Leistungsumwandlung und Motortreiber-Wechselrichter in Industrieapplikationen eignen. Das Bauteil ist in zwei verschiedenen Konfigurationen verfügbar. Die Konfiguration mit separaten Ausgangspins (STGAP2SICSTR) ermöglicht die unabhängige Optimierung von Einschalt- und Ausschaltvorgängen mit dedizierten Gate-Widerständen. Die Konfiguration umfasst einen Einfachausgangs-Pin und eine Miller-Klemmfunktion (STGAP2SICSCTR) verhindert Gate-Spitzen während schneller Kommutierung in Halbbrückentopologien. Beide Konfigurationen bieten eine hohe Flexibilität und eine Reduzierung der BOM für externe Komponenten.
Der STGAP2SICS von STMicroelectronics enthält folgende Schutzfunktionen: UVLO mit optimiertem Wert für SiC-MOSFETs und thermische Abschaltung, um das Design von Systemen mit hoher Zuverlässigkeit zu vereinfachen. Die Auswahl der Polarität des Steuersignals erfolgt über die Dual-Eingangs-Pins und die Implementierung eines HW-Verriegelungsschutzes verhindert Querströme bei einer Fehlfunktion des Controllers. Die Eingangs-zu-Ausgangs-Laufzeitverzögerung beträgt weniger als 75 ns, wodurch eine hohe PWM-Steuergenauigkeit ermöglicht wird. Ein Standby-Modus ist zur Reduzierung des Stromverbrauchs verfügbar.
Merkmale
- Hochspannungsschiene: bis zu 1.200 V
- Treiberstrombelastbarkeit: 4 A Senke/Quelle bei 25 °C
- dV/dt transiente Immunität: ±100 V/ns im vollen Temperaturbereich
- Eingangs-Ausgangs-Laufzeitverzögerung insgesamt: 75 ns
- Separate Senken- und Quellenoption für einfache Gate-Ansteuerkonfiguration
- Miller-Klemmen-dedizierte 4-A-Pin-Option (STGAP2SICSCTR)
- UVLO-Funktion
- Gate-Ansteuerspannung bis zu 26 V
- 3,3 V, 5-V-TTL-/CMOS-Eingänge mit Hysterese
- Übertemperaturschutz
- Standby-Funktion
- Galvanische Trennung: 6 kV
- SO-8W-Widebody-Gehäuse
Applikationen
- Industrial
- Renewable energy
- Power supplies
- Automotive and transportation
- Aerospace and defense
- HVAC systems
Blockdiagramme
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