STMicroelectronics STD12N60DM2AG n-Kanal-Leistungs-MOSFET

Der STMicroelectronics STD12N60DM2AG n-Kanal-Leistungs-MOSFET ist ein Teil der MDmesh™ DM2 schnellen Freilaufdioden. Dieser automotive n-Kanal-Leistungs-MOSFET bietet eine sehr niedrige Wiederherstellungsladung (Q_rr) und Erholungszeit (t_rr) in Kombination mit niedrigem R_DS(on). Der STD12N60DM2AG Leistungs-MOSFET verfügt über eine niedrige Gate-Ladung, eine niedrige Eingangskapazität, niedrigen On-Widerstand, hohe dv/dt- Robustheit und Zener-Schutz. Dieser Leistungs-MOSFET eignet sich für die meisten anspruchsvollen, hocheffizienten Wandler und ist ideal für Brückentopologien und phasenverschobene ZVS-Wandler.