STMicroelectronics M95P32 Ultra Low-Power 32 Mbit SPI Seiten-EEPROM
Der extrem stromsparende 32 Mbit SPI-Seiten-EEPROM M95P32 von STMicroelectronics ist für mobile und tragbare Designs optimiert. Das M95P32 32Mbit SPI-Seiten-EEPROM verfügt über einen umfangreichen Funktionssatz, einen extrem geringen Stromverbrauch und eine hohe Speicherdichte. Dieses Bauteil kombiniert die patentierte e-STM 40nm NVM-Zelltechnologie (Non-Volatile Memory) mit Smart-Page-Architektur und vereint die Vorteile einer hohen Speicherdichte für Firmware mit Byte-Flexibilität und hoher Beständigkeit für eine vereinfachte Datenprotokollierung. Der M95P3 zeichnet sich außerdem durch schnelle Lese-, Lösch- und Programmzyklen aus, die durch schnelles Hoch- und Herunterladen die Herstellungskosten und die Ausfallzeiten der Applikation reduzieren. Schnelles Einschalten und Lesen mit vier Ausgängen ermöglichen ein schnelleres Aktivieren der Applikation.
Der M95P32 EEPROM bietet Byte- und Seitenschreibanweisungen bis zu 512 Bytes. Die Schreibbefehle bestehen aus selbsttätigen Lösch- und Programmoperationen, was eine flexible Verwaltung der Datenbytes ermöglicht. Darüber hinaus akzeptiert das Bauteil Seiten-/Block-/Sektor-/Chip-Löschbefehle, um den Speicher in einen gelöschten Zustand zu versetzen. Der Speicher kann dann schnell über 512-Bytes-Seiten programmiert und mit „Seitenprogramm mit Bufferlast“ weiter optimiert werden, um die SPI-Kommunikationslatenz zu kaschieren.
Das 32-MBit-EEPROM M95P32 der Baureihe SPI Page von STMicroelectronics vereinfacht die NVM-Integration, reduziert die BOM-Kosten und erhöht die Energieeffizienz.
Merkmale
- SPI-Schnittstelle
- Unterstützt eine serielle Peripherieschnittstelle (SPI) und Dual-/Quad-Ausgänge
- Großer Spannungsbereich von VCC von 1,6 V bis 3,6 V
- Temperaturbereich
- Industriebereich: -40 °C bis +85 °C
- -40 °C bis +105 °C erweitert
- Schnelle Lesezugriffe
- Lese-Einzelausgang: 50 MHz
- 80 MHz Fast-Read-Einzel-/Doppel-/Vierfach-Ausgang mit einem Dummy-Byte
- Speicher
- 32 Mbits von Seiten-EEPROM
- 64Kbyte Blöcke, 4Kbyte Sektoren
- 512 Byte Seitengröße
- Zwei Identifikationsseiten
- Schreibbeständigkeit von 500.000 Zyklen über den gesamten Temperaturbereich
- Datenhaltung
- 100 Jahre
- 10 Jahre nach 500 k Zyklen
- 32 Mbits von Seiten-EEPROM
- Extrem geringer Stromverbrauch
- 6 μA (typisch) im tiefen Abschaltmodus
- 16 μA (typisch) im Standbymodus
- 800 μA (typisch) für einfaches Lesen bei 10 MHz
- 2 mA (typisch) für Seitenschreiben
- Stromspitzenkontrolle <3 mA
- Hohe Schreib-/Löschleistung
- Schnelle Schreib-/Prog-/Löschzeiten:
- 2 ms (typisch) für Byte- und Seitenschreiben (einschließlich automatisches Löschen und Programm) für 512 Bytes
- 2 ms (typisch) für Seitenprogramm (512 Bytes)
- 9 ms (typisch) für Seitenlöschung
- 1 ms (typisch) für Sektorlöschung
- 7 ms (typisch) für Blocklöschung
- 15 ms (typisch) für Chip-Löschung
- Seitenprogramm mit Pufferlast
- Schnelle Schreib-/Prog-/Löschzeiten:
- Erweiterte Funktionen
- ECC für hohe Speicherzuverlässigkeit (DEC, TED)
- Schmitt-Trigger-Eingänge für Rauschfilterung
- Programmierbare Stärke des Ausgangspuffers
- Betriebszustandskennzeichen für ISO26262
- Software-Reset
- Schreibschutz nach Block, mit Option oben/unten
- Eindeutige ID auf Anfrage
- Elektronische Identifizierung
- Unterstützung des SFDP-Modus (Serial Flash Memory Discoverable Parameters)
- JEDEC-Standard-Herstelleridentifikation
- Gehäuseoptionen
- DFN8, SO8N, und WLCSP8 ECOPACK2 Gehäuse
- Halogenfrei und RoHS-konform
- ESD-Schutz
- 200 V HBM (Menschliches Körpermodell)
- 500 V CDM
Applikationen
- Industrielle IoT-Module
- Wearables
- Gesundheitswesen
- Medizintechnik
- Elektronische Regalrandetikettierung
- Intelligente Stromzähler
- 5G-Glasfasermodule.
Videos
Blockdiagramm
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