STMicroelectronics M1TP80M12W2-2LA ACEPACK DMT‑32 SiC-Leistungsmodul
Das STMicroelectronics M1TP80M12W2-2LA ACEPACK DMT-32 SiC-Leistungsmodul ist ein 32-poliges, zweireihiges, geformtes Durchsteckmontage das sich ideal für Fahrzeuganwendungen eignet. Das Leistungsmodul verfügt über einen SiC-MOSFET Gen2 Leistungsschalter, das einen niedrigen 80 mΩ RDS(on) -Wert gewährleistet. Das M1TP80M12W2-2LA ACEPACK DMT-32 SiC-Leistungsmodul von STMicroelectronics bietet eine Totem-Pole-Bauform und eine Durchschlagspannung von 1.200 V. Die hohe Leistungsdichte und das kompakte Design des Moduls kann in On-Board-Ladegeräten (OBCs), DC/DC-Wandlern, Flüssigkeitspumpen und HVAC-Systemen genutzt werden.
Merkmale
- SiC-MOSFET-Leistungsschalter
- 32-Pin-Gehäuse zur Durchsteckmontage
- Zweireihig
- Die Rillen auf dem geformten Modul bieten eine hohe Kriechstrecke
- Höhere Leistungsdichte und höherer Wirkungsgrad
- Aluminiumnitrid(AIN)-isoliertes Substrat für verbesserte Wärmeleistung
- Integrierter NTC-Sensor
Applikationen
- OBCs
- DC/DC-Wandler für Hybrid- und Elektrofahrzeuge
- Flüssigkeitspumpen
- HVAC
Technische Daten
- Durchschlagspannung von 1.200 V
- SiC Gen2-Netzschalter
- 80 mΩ RDS(on) bei +25 °C
- +175 °C maximale Sperrschichttemperatur
Topologie
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Entwickelt für die DC/DC-Wandlerstufe von Hybrid- und Elektrofahrzeugen.
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Features sixpack topology construction and a SiC Gen2 power switch.
Veröffentlichungsdatum: 2023-10-27
| Aktualisiert: 2025-08-01