STMicroelectronics GWA40MS120DF4AG Automobilstandard-IGBT der MS-Baureihe

Der STMicroelectronics GWA40MS120DF4AG Automobilstandard-IGBT der MS-Baureihe wurde mit einer fortschrittlichen proprietären Trench-Gate-Field-Stop-Struktur entwickelt. Dieser IGBT, der zur MS-Baureihe gehört, wurde speziell für Wechselrichtersysteme entwickelt. Seine hervorragende Kurzschlussfähigkeit bei hohen Busspannungen macht ihn ideal für solche Applikationen. Auch der leicht positive Temperaturkoeffizient VCE(sat) und die sehr enge Parameterverteilung tragen zu einem sichereren Parallelbetrieb bei. Der GWA40MS120DF4AG IGBT führ den Fahrzeugstandard bietet eine Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V (VGE=0 V), einen Kollektor-Dauerstrom von 40 A (TC=100 °C) und einen Impuls-Durchlassstrom von 120 A. Dieser IGBT wird in einem TO-247-Gehäuse mit langen Anschlüssen geliefert und arbeitet im Temperaturbereich von -55 °C bis 175 °C. Typische Applikationen umfassen Hilfslasten, Wärmemanagementund PTC-Heizungen.

Merkmale

  • Fortschrittliche proprietäre Trench-Gate-Feld-Stopp-Struktur
  • Enge Parameterverteilung
  • Positiver VCE(sat) Temperaturkoeffizient
  • Geringer thermischer Widerstand

Technische Daten

  • AEC-Q101-qualifiziert
  • 8 μs Kurzschlussfestigkeitszeit bei VCC= 800 V, VGE= 15 V, T(Start) = 175 °C
  • 1200 V Kollektor-Emitter-Spannung bei VGE= 0 V
  • 40 A Dauerkollektorstrom bei TC= 100 °C
  • 120 A Impulsdurchlassstrom
  • 536 W Gesamtverlustleistung bei TC= 25 °C
  • -55 °C bis 175 °C Betriebstemperaturbereich

Applikationen

  • Hilfslasten
  • Wärmemanagement
  • PTC-Heizungen

Testschaltungen

STMicroelectronics GWA40MS120DF4AG Automobilstandard-IGBT der MS-Baureihe

Gehäuseinformationen

Technische Zeichnung - STMicroelectronics GWA40MS120DF4AG Automobilstandard-IGBT der MS-Baureihe
Veröffentlichungsdatum: 2024-06-25 | Aktualisiert: 2024-07-03