STMicroelectronics L98GD8E 8-Kanal-MOSFET-Vortreiber

Der 8-Kanal-MOSFET-Vortreiber L98GD8E von STMicroelectronics lässt sich für die Laststeuerung in Low-Side-, High-Side-, Peak-and-Hold- sowie H-Brücken-Konfigurationen konfigurieren. Die Ingenieure haben es so konzipiert, dass es den Anforderungen von 12-V- und 48-V-PKWs sowie von 24-V-LKWs entspricht. Alle Ausgänge können PWM-gesteuert werden. Sechs Ausgänge können sicherheitsrelevante Lasten ansteuern. Der Nutzer kann einen Ausgang für die Ansteuerung sicherheitsrelevanter Lasten reservieren, die einen eigenen Freigabepin (EN6) erfordern.

Der L98GD8E von STMicroelectronics ermöglicht die Ansteuerung von zwei unabhängigen H-Brücken. Er kann zudem bis zu zwei Lasten ansteuern, die eine „Peak-and-Hold“-Regelungsstrategie erfordern. Der Treiber schützt seine Ausgänge vor Kurzschlüssen. Das Gerät schützt den externen MOS bei Überstrom. Jeder Ausgang liefert umfassende Diagnoseinformationen, darunter Kurzschluss zur Batterie, Kurzschluss zur Masse und Unterbrechung der Last. Benutzer können den Status jedes Ausgangs über spezielle SPI-Register kontinuierlich überwachen.

Die Spannungsanstiegsrate der externen Transistoren 1–8 wird beim Ein- und Ausschalten geregelt, um das EMI-Verhalten zu verbessern. Zur Erhöhung der Sicherheit steht über die DIS- und NDIS-Pins eine doppelt redundante externe Abschaltquelle zur Verfügung. Das Gerät lässt sich über SPI mittels eines 32-Bit-Protokolls konfigurieren.

Merkmale

  • AEC-Q100-qualifiziert
  • Konstruiert gemäß ISO21780
  • Konformität von 48-V-, 24-V- und 12-V-Batteriesystemen
  • 3,3-V- und 5-V-Logik-kompatible I/O
  • Konfigurierbarer 8-Kanal-MOSFET-Vortreiber:
    • High-Side (n-Kanal- und p-Kanal-MOS)
    • Low-Side (n-Kanal-MOS)
    • H-Brücke (bis zu zwei H-Brücken)
    • Peak and Hold (zwei Lasten)
  • Versorgungsspannung der Betriebsbatterie: 3,8 V – 70 V
  • Betriebsversorgungsspannung VDD: 4,5 V – 5,5 V
  • Programmierbare Gate-Lade- und Entladeströme zur Verbesserung des EMI-Verhaltens
  • Einzeldiagnose für:
    • Kurzschluss zur Batterie
    • Offene Last, Kurzschluss zur Erdung
  • Hochflexible Umsetzung der Überstromdetektion
    • Möglichkeit zur Überwachung der Drain-Source-Spannung externes MOS-Transistors
    • Möglichkeit zur Überwachung der Spannung am externen Shunt-Widerstand
    • Die 64 programmierbaren Überstromschwellenwerte sind für jeden Kanal unabhängig voneinander
    • Ultraschnelle Abschaltung des Ausgangs bei Überstrom
  • Strombegrenzung bei H-Brücken-Konfiguration
  • 32-Bit-SPI-Protokoll für Konfiguration und Diagnose verfügbar
    • Das Gerät protokolliert Fehler auch dann, wenn diese während einer Diagnoseabfrage auftreten
    • Daisy-Chain-Betrieb
    • SDO gegen Überspannung geschützt
  • Sicherheitsfunktionen
    • Schnelle Abschaltung redundanter Ausgänge über zwei externe Pins
    • Integrierter Selbsttest (BIST) für den Logikbetrieb
    • Hardware-Selbsttest (HWSC) für VDD5-Überspannungskomparator
    • Konfigurierbarer Kommunikations-Check (CC) Watchdog-Timer verfügbar
    • Deaktivierung der Rückmeldung durch bidirektionalen Pin
    • Hochredundante Ausgangsüberwachung durch dedizierte SPI-Register
  • 10-Bit-ADC für Batterie- und Chip-Temperatur über SPI verfügbar
  • VDD5-Überwachung für Über-/Unterspannung
  • VPS-Überwachung (Batterie) auf Unterspannung

Applikationen

  • 48-V-Anwendungen im Fahrzeugbereich
  • Low-Side-, High-Side-, Peak-and-Hold- und H-Brücken-Laststeuerung
  • Entwickelt für den Antrieb von Relais, Motoren und allen ohmschen und induktiven Lasten

Blockdiagramm

Blockdiagramm - STMicroelectronics L98GD8E 8-Kanal-MOSFET-Vortreiber
Veröffentlichungsdatum: 2026-05-26 | Aktualisiert: 2026-05-29