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Vishay Siliconix SQ2361 60V p-Kanal-Leistungs-MOSFET für die Automobilindustrie

Vishay Siliconix SQ2361
60V p-Kanal-Leistungs-MOSFET für die Automobilindustrie

Der Vishay Siliconix SQ2361 60V p-Kanal-Leistungs-MOSFET für die Automobilindustrie ist nach AEC-Q101 qualifiziert und zu 100% Rg- und UIS-getestet. Der SQ2361 60V p-Kanal-Leistungs-MOSFET für die Automobilindustrie gehört zur Vishay Siliconix TrenchFET Leistungs-MOSFET-Produktreihe. Dieser SQ2361 60V p-Kanal-Leistungs-MOSFET für die Automobilindustrie bietet typischen ESD-Schutz bis 800V und verfügt über ein RDS(on) von lediglich 0,15Ω bei 10V VGS oder 0,20Ω bei 4,5V. Der Vishay Siliconix SQ2361 60V p-Kanal-Leistungs-MOSFET für die Automobilindustrie ist zudem halogenfrei (gemäß IEC 61249-2-21 Definition) und konform mit der RoHS-Richtlinie 2002/95/EC.

Merkmale
  • Halogen-frei gemäß IEC 61249-2-21 Definition
  • TrenchFET® Leistungs-MOSFET
  • Typischer ESD-Schutz: 800V
  • Nach AEC Q101 qualifiziert
  • 100% Rg- und UIS-getestet
  • Konform mit der RoHS-Richtlinie 2002/95/EC
Teile-Nr.Gehäuse/HülleVds - Drain-Source-DurchschlagspannungId - Drain-GleichstromRds On - Drain-Source-WiderstandQg - Gate-LadungPd - VerlustleistungDatenblatt








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  • Semiconductors|Discrete Semiconductors|Transistors (FETs, Bipolars & IGBTs)
Veröffentlichungsdatum: 2012-02-28 | Aktualisiert: 2022-03-11