Semtech SVS03331P1RBQ TVS-Diode mit niedriger Kapazität
Die TVS -Diode mit niedriger Kapazität von Semtech SVS03331P1RBQ wurde speziell für den sekundären Stoß und ESD-Schutz von Antennen und Hochgeschwindigkeitsdatenanschlüssen entwickelt. Das im DFN-Paket 2-lead 1.00 mm x 0,60 mm x 0,50 mm verpackte SVS03331P1RBQ nutzt die Snap-Back- Technologie, um die Klemmspannungen des Geräts zu minimieren. Jedes Gerät schützt eine Hochgeschwindigkeitsleitung, die mit 3,3 V und einer Kapazität von typischerweise 0,37 pF betrieben wird. Die ESD- Eigenschaften zeichnen sich durch eine hohe ESD- Spannungsfestigkeit gemäß IEC 61000-4-2 (±30 kV Kontakt und ±30 kV Luft) und einen extrem niedrigen dynamischen Widerstand (0,22Ω typisch) aus. Die Semtech SVS03331P1RBQ verfügt über bleifreie Anschlüsse und ist gemäß AEC-Q101 für Fahrzeuganwendungen qualifiziert.
Merkmale
- Hohe Spannungsfestigkeit gegen elektrostatische Entladung (ESD)
- IEC 61000-4-2 (ESD) - ±30 kV Kontakt, ±30 kV Luft
- ISO 10605 (ESD) - ±25 kV Kontakt, ±25 kV Luft
- Kleines 2-lead DFN-Paket, 1.00 mm x 0,60 mm x 0,50 mm
- Schützt eine Leitung
- Niedrige ESD-Klemmspannung
- Betriebsspannung 3,3 V
- Typische Kapazität 0,37 pF
- Niedriger Ableitstrom
- Niedriger dynamischer Widerstand
- AEC-Q101-qualifiziert
- Festkörper-Silizium-Avalanche-Technologie
Applikationen
- Antennen
- USB 3.0/USB 3.1/USB Type-C®
- Fahrzeug
- Industrielle Geräte
Technische Daten
- 80 W maximale Spitzenimpulsleistung
- 10 A maximaler Spitzenimpulsstrom
- 3,3 V maximale Sperrspannung
- 6 V Bereich 11 V Durchschlagspannung
- Maximaler Sperrstrom 50 nA, typischer Wert < 5="">
- Höchste Klemmspannung von 8 V, typischerweise 5,3 V
- 3,4 V bis 6.0 V typisch ESD Klemmspannungsbereich
- Typischer dynamischer Widerstand von 0,22 Ω
- 0,43 pF maximale Anschlusskapazität 0,37 pF typisch
- Betriebs-/Sperrschichttemperaturbereich von -40 °C bis +125 °C
Schaltschema
Abmessungen
Veröffentlichungsdatum: 2025-08-05
| Aktualisiert: 2025-08-21