ROHM Semiconductor YQx0 Automobilstandard-Schottky-Barriere-Dioden

Die YQx0 Automobilstandard-Schottky-Barriere-Dioden von ROHM Semiconductor bieten niedrige Durchlassspannungen, Sperrströme und Kapazitäten mit hoher Zuverlässigkeit. Die AEC-Q101-qualifizierten YQx0 Schottky-Barriere-Dioden verfügen über eine Trench-MOS-Struktur mit einer Sperrschichttemperatur von +150 °C. Zu den Applikationen gehören Automotive, Schaltnetzteile, Freilaufdioden und Umpolungsschutz.

Merkmale

  • AEC-Q101-qualifiziert
  • Hochzuverlässig
  • Leistungsformtyp
  • Niedrige Durchlassspannung und Sperrstrom
  • Geringe Kapazität
  • Trench-MOS-Struktur
  • Gemeinsamer Kathode-Doppeltyp erhältlich
  • TO-252-, TO-263L- und TO-277A-Gehäuse-Optionen

Applikationen

  • Fahrzeuganwendungen
  • Schaltnetzteile
  • Freilaufdioden
  • Schutz vor Umpolung

Technische Daten

  • 100 V Wiederholte Spitzensperrspannung
  • 100 V Sperrspannung
  • Sperrströme
    • 70 μA, 80 μA oder 150 μA max. bei +25 °C
    • 20 mA oder 40 mA max. bei +125 °C
  • 20 A durchschnittlicher gleichgerichteter Durchlassstrom
  • 0,62 V bis 0,86 V maximaler Durchlassspannungsbereich
  • 150 A oder 200 A Spitzen-Durchlassstoßströme
  • +150 °C Sperrschichttemperatur

Innere Schaltungen

ROHM Semiconductor YQx0 Automobilstandard-Schottky-Barriere-Dioden
Veröffentlichungsdatum: 2023-09-13 | Aktualisiert: 2023-10-04