ROHM Semiconductor YQx Schottky-Barriere-Dioden mit hohem Wirkungsgrad

ROHM Semiconductor YQx Schottky-Barriere-Dioden mit hohem Wirkungsgrad sind zur Verbesserung des Kompromisses zwischen niedriger VF und niedriger IR ausgelegt. Trotz niedriger VF-Werte liefern diese Bauteile konsistent stabile Leistungen, selbst wenn sie höheren Temperaturen ausgesetzt sind. Diese hocheffizienten Schottky-Sperrdioden in Kleinform zeichnen sich durch Trench-MOS-Strukturen aus. Die YQx Schottky-Sperrdioden bieten eine Sperrspannung von 100 V, hohe Zuverlässigkeit und niedrige Kapazitäten. Diese Bauteile eignen sich hervorragend für Schaltnetzteile, Freilaufdioden und Verpolungsschutzanwendungen.

Merkmale

  • Hochzuverlässig
  • Niedrige VF und niedrige IR
  • Kleine Energieformen
  • Trench-MOS-Strukturen
  • Niedrige Kapazitäten
  • Geringer Stromverbrauch
  • Stabiler Betrieb bei hohen Temperaturen
  • AEC-Q101-Ausführungen erhältlich

Technische Daten

  • Sperrgleichspannung (VR): 100 V
  • Periodische Spitzensperrspannung (VRM): 100 V
  • Sperrschichttemperatur (Tj): +175 °C
  • Lagertemperaturbereich (Tstg): -55 °C bis +175 °C

Applikationen

  • Schaltnetzteile
  • Freilaufdioden
  • Umpolungsschutz
  • Automotive (ausgewählte Modelle)

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Veröffentlichungsdatum: 2023-12-19 | Aktualisiert: 2024-06-17