ROHM Semiconductor Hoher Wirkungsgrad SCHOTTKY Barrieredioden
ROHM Semiconductor Schottky-Barriere-Dioden mit hohem Wirkungsgrad sind für den Kompromiss zwischen niedrigem VF und niedrigem IR zu verbessern. Diese Dioden zeichnen sich durch eine Trench-MOS-Struktur, einen Spitzen-Durchlassstrom von 30 A, hohe Zuverlässigkeit und eine geringe Kapazität aus. Die Barrieredioden YQ1MM10Ax von SCHOTTKY mit hohem Wirkungsgrad werden in Applikationen sowie Schaltnetzteilen, Freilaufdioden und beimUmpolungsschutz verwendet.
Merkmale
- Trench- MOS Aufbau
- Hochzuverlässig
- Kleiner Leistungsformtyp
- 100 V Sperrspannung
- Durchschnittlicher gleichgerichteter Durchlassstrom von 1 A
- Spitzen-Durchlassstromstoß 30 A
- 175 °C Sperrschichttemperatur
- Niedrige Kapazität
Applikationen
- Schaltnetzteile
- Freilaufdioden
- Schutz bei Umpolung
Datenblätter
Veröffentlichungsdatum: 2025-06-17
| Aktualisiert: 2025-07-18